nmos 的运作(operation).ppt

2. KVL 3. Usually, transistor operates in saturation region 4. Load Line Analysis iD vs. vGS 5. Determine vDS Example 12.2 Analyze the following circuit. The transistor KP=50uA/V2, Vto=2 V, L=10um, W=400um 1. Determine K 2. Thévenin equivalent 3. Determine VGSQ × 4. IDQ VDSQ 12.4 SMALL-SIGNAL EQUIVALENT CIRCUITS Small signal (ac) Small signal (ac) To determine vgs(t) vs. id(t) SMALL-SIGNAL EQUIVALENT CIRCUITS At Q point 0 Chapter 12Field-Effect Transistors 場效電晶體 Field-Effect Transistors (FETs) FET (場效電晶體) 是利用電場來控制電流的大小，而且組成電流的載子僅限一種極性，即電洞或是自由電子 。 Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET,金氧半場效電晶體）可分為NMOS (以電子為電流載子)與PMOS(以電洞為電流載子) 。 MOSFET 包含source (源極)、gate (閘極)、drain(汲極)及body(基座) 。 12.1 NMOS AND PMOS TRANSISTORS NMOS Transistor (n-p-n) (M, 金) (O, 氧) (S, 半) (source 源極) (gate 閘極) (drain 汲極) (Body 基板) 氧化物為絕緣體，沒有電 流能進入閘極端； 控制閘極電壓能夠調整 汲極到源極的電流 場效 NMOS (n-channel MOS) n-p-n NMOS 之 source (源極)與drain(汲極)為n-type 半導體， body(基座) 為p-type 半導體， gate (閘極)為導體 。 NMOS 的運作 (Operation) NMOS 的運作可分為三區(region) Cutoff Region (截止區) Triode Region (三極區) or Linear Region (線性區) Saturation Region (飽合區) and and Operation in the Cutoff Region 當閘極(gate)與源極(source)間電壓vGS =0，兩個pn接面(body-source) 與(body-drain)可視為兩個方向相反的二極體，此時MOSFET為截止(cutoff)。 當閘極(gate)與源極(source)間電壓vGS 逐漸上升到Vto (threshold voltage,臨限電壓)時，則NMOS才會開始導通。 Operation in the Triode Region and 當閘極(gate)帶正電時，可逐漸吸引自由電子聚集在絕緣層的下方， 並將電洞推離絕緣層下方。 Operation in the Triode Region and 當閘極(gate)與源極(source)間電壓vGS 逐漸上升到Vto (threshold voltage,臨限電壓)，且在drain和source之間加有電壓vDS，則形成n-type通道(channel)，通道中的自由電子受到外加電場的驅動，形成汲極電流(drain current)iD，其方向從drain流向source，和通道中的電子流方向相反。 當vDS很小時， iD與vDS成正比， 亦與vGS - Vto成正比。 由於有氧化絕緣層，故閘極電流 iG ＝ 0。 Operation in the Triode Region In the triode region, the NMOS behaves as a resistor connected between drain and source, but the resistance decreases as vGS increases. Device parameter 0, if vDS~0 Operation in the Saturation Region 當drain和source之間電壓vDS≥ vGS - Vto(or vGD≤ Vto) 則n-type通道在drain端寬度變為0 ，v