Chapter 2 复合材料界面基础与界面理论 2011.pptVIP

Zhicheng Li (李志成) Materials Chemistry Central South University;Outline;金属/陶瓷界面的电子结构 ;界面的电子结构是与之相关的基础研究，目前主要有两类理论方法用于金属/陶瓷界面电子结构研究： 一类是倒易空间中的能带论方法； 一类是实空间的分子轨道理论方法。 ;Ag/MgO界面电子结构;Ag/MgO界面电子结构;原子簇模型的选取是研究界面电子结构的关键。 研究表明，无论金属还是陶资界面的电子结构都受到原子族的大小的影响，原子族越大，结果越接近块体的情况。 计算结果表明离散变分方法研究金属/陶瓷界面的电子结构，可以给出界面原子的成键特性。;Ag/MgO原子簇;Ag/MgO原子簇的态密度;晶界的吸附与偏析;晶界的吸附与偏析;晶界的吸附与偏析;晶界的吸附与偏析;晶界的吸附与偏析;晶界的吸附与偏析;晶界的吸附与偏析;晶界的化学反应;晶界的化学反应;晶界的化学反应;晶界的化学反应;晶界的化学反应;晶界的化学反应;晶界的化学反应;2000K的热化学相图;以1727?C(2000K)为例：Si-C-O三元系统存在如下平衡关系式： C（S）?C（g） (1) SiC（S）?Si（l）+ C（g） (2) Si（l）+O2（g）?SiO2（l） (3) SiC（S）+O2（g）?SiO2（l）+C(g) (4) C（g） +1/2 O2（g）? CO(g) (5) SiC（S）+1/2 O2（g）?SiO（g）+C(g) (6) C（g） + O2（g） ? CO2(g) (7);其中的一条线表示C的蒸气压： C（S）?C(g) 查热量学数据表可将第二条线表示Si —SiC界面上的活度： SiC（S）?Si（l）+ C（g） ;晶界的化学反应;相图表示4个区：5个界面： C-SiC界面 logPC=-11.4 具有高度的化学稳定性 SiC-Si界面 logPc=-12.7 具有更高的化学稳定性 Si-SiO2界面 logPO2=-15.3 SiC-SiO2界面 logPO2为-13.8~-15.3 logPC 为-11.4~-12.7 logPCO为0.7~-2 SiO2-C界面 logPCO可能很大，PCO可能很高。但一定的PCO压力对应一定的O2浓度，而界面氧气浓度需靠氧气在SiO2中的扩散提供。O2在SiO2中的扩散是很慢的，因而CO的压力受O2扩散控制。;Relations of the maximum and minimum oxygen pressure with temperature at the SiO2-SiC interface;Relations of the maximum and the minimum CO pressure with temperature at the SiO2-SiC interface ;晶界的化学反应;2. Si—SiO2界面上的SiO压力也可能接近 1atm ，如有杂质会更高 3. 从热力学上讲，C—SiO2界面在1000℃时界面气相CO压力可能很高，但相应的氧气浓度也较高，只有O2扩散使界面O2浓度达到较高水平时才能反应生成CO，但温度低，扩散较慢，因此C—SiO2仍然在1000℃左右共存，这就是动力学因素造成的。;除了界面化学相容外，复合材料界面还必须满足物理相容的条件。 复合材料总是在一定的温度下制备的。在制备温度下基体和纤维总是热物理相容的。从制备温度冷却到室温的dT内或是使用过程中的温度变化dT，增强体和基体的热膨胀系数(CTE)的不同，将使界面存在一定的界面应力： dT?、??；CTE?、?? ;在界面结合强的情况下界面应力与DT存在对应关系。 在界面结合弱的情况下，由于滑移