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AN1012 アプリケーションノート NVRAMおよびシリアルRTCのバッテリー寿命と データ保持時間の予測 はじめに 標準SRAMデバイスがEEPROMやフラッシュメモリよりも優れている点として、プロセッサやマイク ロコントローラのメインメモリとして用いられた場合の書き込み速度の速さがあります。短所である のは、揮発性であるために、電源が落ちた瞬間 ( 電源オフのためか、予期せぬ電源の瞬断や喪失のた めであるのかにはよりません) にデータ内容が失われてしまうという点です。 STマイクロエレクトロニクスでは、ZEROPOWER® SRAM またはTIMEKEEPER® SRAM として知ら れている不揮発性SRAM (NVRAM)、スーパーバイザ、シリアルRTC といった各種製品群の製造を行っ ており、EEPROMのように不揮発性でありながらSRAMの高速アクセス性も兼ね備えた、最も望まし いメモリデバイスをお届けしています。これらのデバイスは、低消費電力型CMOS SRAMのアレイに 加えて、小型で長寿命のリチウム電池から構成されています (TIMEKEEPER には高精度の水晶振動子 も搭載されています)。このメモリは、外部電源が規定限度値の範囲内にある間は標準SRAM として動 作しますが、外部電源が許容範囲を外れた瞬間にSRAMは書き込み禁止となり、内蔵電池から供給さ れる微小な電流によってそのデータ内容が保持されます。 データ内容が10年間 (通常はもっと長い年数となります) 保持されることが保証されているEEPROM とは違って、NVRAMの内容は、内蔵電池がアレイを維持するのに十分なだけの電流を供給可能な間 に限り保持されます。この資料には、さまざまな動作条件におけるバッテリー寿命と、その結果とし て得られるデータ保持の予測に必要な要素がまとめられています。 ZEROPOWER、TIMEKEEPER、スーパーバイザ、シリアルRTC のデバイスの多くは、600 mil DIP CAPHAT™、ハイブリッドDIP、330 mil SOIC SNAPHAT® のいずれかをパッケージとして用いていま す。SNAPHAT (図 1参照) には取り外し可能なトップが備わっており、長寿命のリチウム電池と高精 度水晶振動子 (TIMEKEEPER の場合) がどちらも内蔵されています。 STマイクロエレクトロニクスでは、SNAPHAT を数百万個出荷しており、幅広いアプリケーションで 用いられています。PCベースのシステムからハイエンドワークステーションや通信、民生、自動車 用のアプリケーションに至るまで、これらの製品はエレクトロニクス産業に高信頼性のデータスト レージを提供してきました。 図 1. 標準ZEROPOWER、TIMEKEEPER、スーパーバイザ、シリアルRTCパッ ケージ CAPHAT™ SOIC とSNAPHAT® トップ ハイブリッドDIP ２０１６年1 月 Doc ID 6395 Rev 1 [English Rev 4] 1/11