半导体业晶背研磨(BacksideGrinding)废水的矽粉回.PDFVIP

半导体业晶背研磨(BacksideGrinding)废水的矽粉回.PDF

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
半导体业晶背研磨(BacksideGrinding)废水的矽粉回

半導體業晶背研磨 (Backside Grinding)廢水的矽粉回收及水資源再利用 郭文通 台灣積體電路製造股份有限公司 廠務部門 E-mail:WTKuo@ 摘要 2.晶背研磨廢水特性及回收條件 半導體業晶背研磨(Backside Grinding, BG)廢 2.1 廢水來源及原處理 水主要污染物為懸浮微粒,業界最常見的二種處理 表 1 為本廠晶背研磨廢水水質表,本廠的晶背 方式一為混凝沉降:首先原水經過pH 調整後,再 研磨廢水來自於晶片製造過程中所進行的晶背研 經由混凝沉降過程去除水中的懸浮微粒,經處理過 磨製程中的超純水清洗的排放水,主要由矽晶砂的 後符合外排標準的晶背研磨廢水,上澄液直接外排 懸浮固體物(Suspend Solid, SS)及大量的純水所組 或是回到次級用水系統再利用(如Cooling Tower 、 成,顏色為灰黑色,pH 值為5~6 ,導電度介於50 ~ Scrubber 用水) ,而污泥則委外處理。另一種為不 150 µS/cm 之間,懸浮固體濃度約為 1500~2000 添加任何化學藥品直接以超過濾膜(Ultrafiltration, mg/L 。 UF)過濾,再經由 RO (Reverse Osmosis, 逆滲透) 處理單元,產水回到純水系統前處理單元進行再利 表 1 晶背研磨廢水水質表 用。採用上述任一處理方式,只能達到水資源的再 pH conductivity Suspend Solid 利用,但卻會造成其中具高度回收價值的矽粉 BG (silicon powder)被浪費掉。 原水水質 5~6 50 ~150 µS/cm 1500 ~ 2000 mg/L 本文將就本廠廠務部門與回收廠商的合作經 驗,介紹如何從晶背研磨廢水成功萃取出高純度矽 圖1 為晶背研磨廢水混凝沉降處理流程圖,本 粉,同時降低廢水回收系統高級處理單元(UF+RO) 廠針對晶背研磨廢水的原先處理方式為先經過 入水的懸浮微粒濃度,進而提升晶背研磨廢水的回 NaOH 加藥調整pH 後,再添加多元氯化鋁(PAC) 、 收率,並降低化學品用量及污泥的減量,達到企業 高分子聚合物(polymer)進行混凝、膠凝及沉降後, 發展及環境保護雙贏的目標。 上澄液回到次級用水再利用(如Cooling Tower 、 1.前言 Scrubber 用水) ,而污泥則委外處理。 由於臺灣年平均降水量約(2500mm)是世界平 均降水量(700mm)的 3.5 倍,缺水程度卻排名全球 第 18 位,臺灣的降雨量雖然豐沛,但實際可利用 的水資源卻有限。尤其今年(2011)年初台灣更面臨 水資源嚴重缺乏的問題,因此,對於節約用水及提 昇水資源回收率的工作,一直是本公司努力不懈的 目標。 圖1 晶背研磨廢水混凝沉降處理流程圖 有鑑於此,本廠的節水團隊檢視整個廠務系

文档评论(0)

jyf123 + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

版权声明书
用户编号:6153235235000003

1亿VIP精品文档

相关文档