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基于74hc595和74hc138的16x40点阵显示 作者:廖基鑫 桂林电子科技大学 电路原理图。 （1）输入输出口 JP1 为输入口，JP2为输出口（为串联下一块点阵），245为电平转换。 （2）行控制端电路 有2块3-8译码器组成4-16译码器。将A,B,C,D,接入一个8位I/O口，直接对I/O口赋值。 （3）行写入端电路 二、74HC595介绍。 74HC595 是一款漏极开路输出的CMOS 移位寄存器，输出端口为可控的三态输出 端，亦能串行输出控制下一级级联芯片。 10 脚 SCLR 移位寄存器清零端 直接接地， 11 脚 SCK 数据输入时钟线 12 脚 RCK 输出存储器锁存时钟线 13 脚 OE 输出使能 低电平为输出有效 14 脚 SI 数据线 串行输入数据，亦能串行输出数据到下一级级联芯片 输入数据程序： 1. 向595写一个字节的数据 void write_595(uchar DATA) //向595写一个字节的数据 { uchar i; for(i=0;i8;i++) { SI=(~DATA)0x01; SCK=1; SCK=0; DATA=DATA1; } } 2.向多个595写一个字节的数据 9 脚SQH 位串行数据输出管脚 将多个595的数据由9脚传至下一个595，全部写入后在打开输出存储器锁存时钟线 for(i=0;i16;i++) //字从下往上滚动出现 { k=1; for(j=i+1;j0;j--) //向多个595写一个字节的数据 { write_595(display[7][k]); write_595(display[7][k-1]); write_595(display[6][k]); write_595(display[6][k-1]); write_595(display[5][k]); write_595(display[5][k-1]); write_595(display[4][k]); write_595(display[4][k-1]); k+=2; hang=16-j; //为138输入行控制数据 RCK=1;RCK=0; } delay_ms(20); } 3．595-RCK信号与138的输出使能E2信号为同一信号，故可以相连。 三、74hc138介绍。 3 线－8 线译码器 当一个选通端（G1）为高电平，另两个选通端（/(G2A)和/(G2B)）为低电平时，将地址端（A、B、C）的二进制编码在一个对应的输出端以低电平译出。 利用 G1、/(G2A)和/(G2B)可级联扩展成24 线译码器；若外接一个反相器还可级联扩展成32 线译码器。 引出端符号： A、B、C 译码地址输入端 G1 选通端 /(G2A)、/(G2B) 选通端（低电平有效） Y0～Y7 译码输出端（低电平有效） 功能表： 逻辑图： 四、74hc245介绍。 管脚及电路接法。 五、ULN 2003介绍。 ULN2003是一个单片高电压、高电流的达林顿晶体管阵列集成电路。它是由7对NPN达林顿管组成的，它的高电压输出特性和阴极箝位二极管可以转换感应负载。单个达林顿对的集电极电流是500mA。达林顿管并联可以承受更大的电流。此电路主要应用于继电器驱动器，字锤驱动器，灯驱动器，显示驱动器（LED气体放电），线路驱动器和逻辑缓冲器。 74hc595通过ULN2003驱动8*8LED点阵屏。 五、8*8点阵屏介绍 8*8点阵屏管脚如上，L1-L8由达林顿管TIP127驱动，H1-H8有ULN2003驱动 （1）TIP127简介 外延基PNP达林顿功率晶体管,采用TO-220塑料封装 VCBO 集电极-基极电压(IE = 0) 60 80 100 V VCEO 集电极-发射极电压(IB = 0) 60 80 100 V VEBO 发射极-基极电压(IC = 0) 5 V IC 集电极电流 5 A ICM 集电极峰值电流 8 A IB 基极电流 0.1 A Ptot 耗散功率 Tcase≤25 65 W （2）ULN 2003介绍。 ULN2003是一个单片高电压、高电流的达林顿晶体管阵列集成电路。它是由7对NPN达林顿管组成的，它的高电压输出特性和阴极箝位二极管可以转换感应负载。单个达林顿对的集电极电流是500mA。达林顿管并联可以承受更大的电流。此电路主要应用于继电器驱动器，字锤驱动器，灯驱动器，显示驱动器（LED气体放电），线路驱动器和逻辑缓冲器。 74hc595通过ULN2003驱动8*8LED点阵屏。