鸿之微科技(上海)股份有限公司.pdf

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2017-09-02 发布于天津
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鸿之微科技(上海)股份有限公司

应用教程 Versio 鸿之微科技(上海) 股份有限公司 support@ 目录第一章周期性体系应用教程1 1.1 Si 能带计算1 1.1.1 Si 能带计算1 自洽计算1 能带计算3 1.1.2 Ni 能带计算5 自洽计算5 能带计算5 1.1.3 MoS 能带计算7 2 自洽计算7 能带计算8 1.2 态密度计算9 1.2.1 Si 总态密度计算9 1.2.2 Ni 投影态密度计算10 第二章输运体系应用教程13 2.1 Two-probe 体系自洽计算13 2.1.1 电极自洽计算13 2.1.2 中心区自洽计算14 2.2 电子透射谱计算16 2.3 态密度计算17 2.4 电导计算19 2.5 电流计算19 2.5.1 非平衡态下的自洽计算19 2.5.2 电流计算20 2.6 光电流计算20 2.6.1 非平衡态下的自洽计算21 2.6.2 光电流计算21 附录25 I 第一章周期性体系应用教程 1.1 Si 能带计算能带计算步骤：（1）自洽计算；（2 ）能带计算；（3 ）绘制能带图。能带计算常见的几种情况：（1）不考虑自旋（NoSpin ）的体系【参考1.1.1 Si 能带示例】；（2 ）考虑自旋（CollinearSpin ）的体系【参考1.1.2 Ni 能带示例】；（3 ）考虑自旋轨道耦合（GeneralSpin ）的体系【参考1.1.3 MoS 能带示例】。 2 1.1.1 Si 能带计算自洽计算 1. 准备输入文件scf.input 和基组文件Si_DZP_PBE.nad scf.input 文件需要包含以下信息：晶格基矢、原子坐标、基组类型等。具体参考如下： = Si %命名为Si = scf system.spinType = NoSpin %无自旋 system.centralCellVectors = ... %晶格基矢 [ [0.000 2.715 2.715], ... [2.715 0.000 2.715], ...