量子阱红外探测器衬底完全去除技术研究 - 激光与红外.pdf

第４４卷　 第１１期　 　　　　　　　　　　　　　　激 光 与 红 外 Ｖｏｌ．４４，Ｎｏ．１１ 　 ２０１４年１１月　　　 　 　　　　　　　　　　ＬＡＳＥＲ　＆　ＩＮＦＲＡＲＥＤ Ｎｏｖｅｍｂｅｒ，２０１４ 　　文章编号：１００１５０７８（２０１４）１１１２１３０３ ·红外材料与器件 · 量子阱红外探测器衬底完全去除技术研究 孙海燕，刘海龙，胡小燕，谢　珩 （华北光电技术研究所，北京 １０００１５） 摘　要：背面减薄技术对于提高量子阱红外焦平面探测器的性能有着重要的意义，通过衬底减 薄能够缓解探测器芯片与读出电路的热膨胀失配，提高互连混成芯片可靠性，同时能够有效降 低串扰。本文结合机械研磨、化学机械抛光和选择性湿法腐蚀技术，实现了量子阱探测器互连 混成芯片的衬底完全去除。 关键词：ＧａＡｓ；量子阱红外探测器；选择性腐蚀；衬底去除 中图分类号：ＴＮ２１４　　文献标识码：Ａ　　ＤＯＩ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００１５０７８．２０１４．１１．００７ Ｓｔｕｄｙｏｎｃｏｍｐｌｅｔｅｅｌｉｍｉｎａｔｉｏｎｏｆ ｓｕｂｓｔｒａｔｅｏｆｑｕａｎｔｕｍｗｅｌｌｉｎｆｒａｒｅｄｐｈｏｔｏｄｅｔｅｃｔｏｒ ＳＵＮＨａｉｙａｎ，ＬＩＵＨａｉｌｏｎｇ，ＨＵＸｉａｏｙａｎ，ＸＩＥＨｅｎｇ （ＮｏｒｔｈＣｈｉｎａＲｅｓｅａｒｃｈＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＥｌｅｃｔｒｏｏｐｔｉｃｓ，Ｂｅｉｊｉｎｇ１０００１５，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｓｕｂｓｔｒａｔｅｔｈｉｎｎｉｎｇｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙｈａｓａｇｒｅａｔｓｉｇｎｉｆｉｃａｎｃｅｆｏｒｒａｉｓｉｎｇｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｏｆｑｕａｎｔｕｍｗｅｌｌｉｎｆｒａｒｅｄｄｅ ｔｅｃｔｏｒ（ＱＷＩＰ）Ｔｈｒｏｕｇｈｓｕｂｓｔｒａｔｅｔｈｉｎｎｉｎｇ，ｔｈｅｒｍａｌｅｘｐａｎｓｉｏｎｍｉｓｍａｔｃｈｂｅｔｗｅｅｎｄｅｔｅｃｔｏｒｃｈｉｐａｎｄＲＯＩＣｉｓｄｅ ｃｒｅａｓｅｄ，ｗｈｉｃｈｉｍｐｒｏｖｅｓｔｈｅｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙｏｆｃｈｉｐａｎｄｒｅｄｕｃｅｓｔｈｅｃｒｏｓｓｔａｌｋＣｏｍｂｉｎｅｄｗｉｔｈｍｅｃｈａｎｉｃａｌｐｏｌｉｓｈｉｎｇ，ｃｈｅｍｉ ｃａｌｍｅｃｈａｎｉｃａｌｐｏｌｉｓｈｉｎｇａｎｄｓｅｌｅｃｔｉｖｅｗｅｔｅｔｃｈｉｎｇ，ｃｏｍｐｌｅｔｅｅｌｉｍｉｎａｔｉｏｎｏｆＱＷＩＰｓｕｂｓｔｒａｔｅｉｓａｃｃｏｍｐｌｉｓｈｅｄ Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ＧａＡｓ；ｑｕａｎｔｕｍｗｅｌｌｉｎｆｒａｒｅｄｐｈｏｔｏｄｅｔｅｃｔｏｒ（ＱＷＩＰ）；ｓｅｌｅｃｔｉｖｅｗｅｔｅｔｃｈｉｎｇ；ｓｕｂｓｔｒａｔｅｒｅｍｏｖｉｎｇ ［２］ １　引　言 重的像元间光学串扰 。因此将 ＧａＡｓ衬底进行减 基于量子阱导带内子能带间或子能带到扩展态 薄甚至完全去除衬底，对于提高探测器的混成可靠 间的光电子跃迁对红外辐射的吸收特性，ＧａＡｓ／Ａｌ 性和性能有着十分重要的意义。 ＧａＡｓ多量子阱红外探测器具有波长和带宽可调、热 本文采用机械研磨、化学抛光与选择性腐蚀相 稳定性好、抗辐射能力强等特点，同时基于成熟的 ［３］ 结合的方法 ，对量子阱红外焦平面互连混成探测 － 材料生长和器件制备技术基础，器件均匀性 器的衬底完全去除工艺作了研究。首先对互连混成 Ⅲ Ⅴ 更好、产量高、成本低，这些特点使得量子阱红外探 芯片进行灌胶填充，通过磨抛工艺，对大部分的 测器近年来得到了飞速的发展，成为了红外探测器