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AlN陶瓷封装互连基板的低温共烧分析
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ss6230
A1N陶瓷封装互连基板的低温共烧研究
廖淼(复旦大学材料系材料物理专业)
指导教师李越生教授
摘要
为满足高密度封装的需要，本课题采用A1N／玻璃复合低温烧结系统，制各了
A1N封装互连陶瓷基板。烧结温度为950。C，金属化采用丝网印刷技术，将银导
体浆料作为低温共烧布线材料。该工艺成本低廉，易于大规模应用，具有很大的
实用潜力。
本文在把握低温共烧陶瓷(LTCC)和A1N陶瓷研究现状和动向的基础上，
对A1N陶瓷基板的低温烧结和共烧银金属化进行了探讨研究，为A1N封装互连
基板的低温共烧工艺积累了实验数据。主要研究内容如下：
本实验采用AIN／玻璃复合烧结体系，以低熔点玻璃相作为烧结助剂。烧成的
满足作为高密度封装互连基板的需要。
研究了流延基板的排胶问题，并对烧结体的显微结构和物相进行了研究。研
究表明：流延坯片和银浆的排胶特性不同，氧化性气氛有利于两者的排胶：AIN／
玻璃复合系统的烧结为液相烧结；引入微氧烧结气氛将改变烧结体晶相，出现
A1203与AIN颗粒发生表面固溶形成的A10N多形体晶相。
本实验开发和研究了应用于AIN陶瓷基板的流延坯的银共烧浆料。研究表
明，烧成银导体厚膜与基板的界面结合是互相交织成机械嵌连结构。本文系统探
讨研究了低温共烧过程中银导线球化机理。
结合上述的研究分析，本实验对所采用的排胶、烧结等工艺进行优化改进，
提高了A1N陶瓷基扳低温共烧质量。并在分析研究导线球化机理的基础上，提
出解决球化问题的方法，成功消除球化现象，实现了低温共烧银金属化工艺。
关键词：氮化铝，低温共烧陶瓷，封装陶瓷基板
OilLow ProcessofAIN
Study Temperature Ceramic
Cofiring
for andIilterconnection
Package
LiaoMiao Sciencer FuDan
IDeparLofMaterialsj Universi啼1
Li
Directed劬ProfessorYuesheng
Abstract
In
orderto theneedof ceramic
satisfy high—densitypackage，AIN／glass
composite
was low withsilver at950。C
preparedby temperaturecofiring conductor,sintering
The silver was on for
self-developed metallization．
paste screen—printedgreentape
manufacture
This has becauseofconvenienceand
pro
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