简易化学水浴法制备sno2-p-si异质结光电性能!.pdfVIP

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第36卷第2期 红外与毫米波学报 V01.36.No.2 2017年4月 Millim.Waves April,2017 J.Infrared 文章编号:1001—9014(2017)02—0139—05 of a heterojunctionpreparedby optoelectroIlicpropertiesSn02/p-Si chemicaIbath method simple deposition HE XU NING ZHA0 XINC B012’外, Jin94, Huan.P01, Lei5, Huai—Zhon91, cHANG zHANGLei7 Yu—Min96, chien.chen92,QIN of 201620,China; (1.DepartmentAppliedPhysics,DonghuaUniversity,Shanghai 0f andAdvanced 2.Guall野iKeyLaboratoryManufacturingSystem ManufacturingTechnology, Schoolofmechanical University,Nanning530004,China; engineering,Guangxi of of 3.The LaboratorvforUltmfineMaterials7IheMinistry Kev Education, EastChina ofScience Universitv and‘rechnoIo#Ⅳ,Shanghai200237,China; 4. InstnlmentalandResearch 20()444,China; Analysis Center,ShanghaiUniversity,Shanghai 5. of University,Shanghai200444,China; DepartmentPhysics,Shanghai 6.Instituteofnonlinear science,DonghuaUniversity,Shanghai201620,China;

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