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國立清華大學奈微與材料科技中心 工程三館前棟化學槽 （Chemical Bench Ⅰ＆ Ⅱ ＆ Ⅲ） 101.06.12 吳若穎 編修 化學站一站槽配置如〈圖1〉 標準清洗硫酸槽及標準清洗HF槽〈圖3〉 組成：H2SO4 用途：清洗晶片 組成：H2O：HF = 10：1 用途：清除因H2SO4而生成的Oxide 操作步驟： 檢查H2SO4槽及HF槽狀況(換酸記錄表) 填寫操作記錄簿〈圖2〉 (請務必於開始使用化學站前先填寫，只要發現已開始使用卻無填寫紀錄者，無任何但書，一律收取10倍之使用費；若因開始使用才發現化學站有問題導致無法完成清洗或蝕刻，請於備註填寫，將視情況減收化學站使用費。 穿著正確標準清洗護具(圍裙.頭盔.手套) 打開三段清洗槽的 DI WATER 〈圖6〉，讓水注滿，並確認源水水阻值〈CELL 2〉是否約 18MΩ 左右(水的乾淨度) 確認硫酸槽溫度在 120℃左右，將晶片放置鐵氟龍晶舟後，以鐵氟龍把手抓取晶舟置入酸槽內，接著用小量杯倒入 50cc 的 H2O2 〈圖5〉至硫酸槽中，開始計時 10 分鐘。 (注意!!標準清洗注意事項:1.使用前先開DI water2.放boat時勿碰到感溫棒線3.在水槽上方倒H2O2 4.藥品不要離開手5.取晶舟時boat勿繞過手 10 分鐘後，取出鐵氟龍晶舟，由內往外依序經過三段清洗槽，每槽 dip 15 次左右，至最外槽時將手把取下一同靜置清洗，等待水阻值達到 8MΩ 以上〈CELL 1〉。 (若5 分鐘後水阻值達不到 8MΩ 以上，表示水阻值偵測器髒了，超過 5 分鐘可取出鐵氟龍晶舟。 接著，將晶片置於標準清洗槽專用HF槽〈圖3〉中幾秒，至背面不沾水。 (此步驟是要去除晶片清洗過程中所產生氧化矽，若晶片本身有長氧化矽，請自已考量需不需要做這一步驟。 重複VI步驟，並於使用完關閉水閥及電燈。 可至旋乾機進行旋乾圖7或化學站三以氮氣槍吹乾圖25 (硫酸槽電源會自動於每日 7：00 開啟，於每日 17：30 關閉，時間由定時器所控制，〈圖4〉電源開啟時定時器上的燈會亮，若在使用時發現定時器的燈沒亮，且硫酸槽溫控器沒有顯示數值，則按下定時器手動開關來開啟電源。 氧化矽蝕刻槽〈圖3〉〈此三槽不是BOE〉 組成：H2O：HF = 10：1 用途：氧化矽蝕刻用 使用條件： 去除硼玻璃(圖3-1)去含硼氧化矽專用10：1 HF槽專門用來蝕刻含硼成份的氧化矽，如: 經硼擴散爐管所生成之氧化矽〈硼玻璃〉。 去除磷玻璃(圖3-2)去含磷氧化矽專用10：1 HF 槽專門用來蝕刻含磷成份的氧化矽，如： (經磷擴散爐管所生成之氧化矽〈磷玻璃〉。 (經 APCVD 或 PECVD 所沈積的含磷氣化層〈PSG〉。 (沈積有 doping 磷的多晶矽再做氧化所生成之氧化矽。 去除氧化層(圖3-3)去純氧化矽專用 10：1 HF槽專門用來蝕刻單純是氧化層的氧化矽，如： 高溫爐管所生成之氧化矽。 操作步驟： 檢查HF槽狀況(換酸記錄表) 填寫操作記錄簿〈圖2〉 (請務必於開始使用化學站前先填寫，只要發現已開始使用卻無填寫紀錄者，無任何但書，一律收取10倍之使用費；若因開始使用才發現化學站有問題導致無法完成清洗或蝕刻，請於備註填寫，將視情況減收化學站使用費 穿著正確標準清洗護具(圍裙.頭盔.手套) 打開三段清洗槽的 DI WATER 〈圖6〉，讓水注滿，並確認源水水阻值〈CELL 2〉是否約 18MΩ 左右(水的乾淨度) 將晶片放置鐵氟龍晶舟後，以鐵氟龍把手抓取晶舟置入HF 槽〈圖3〉內，若氧化矽下面就是純矽，則提起鐵氟龍晶舟觀看晶片是否不沾水，如果整片晶片不沾水則顯示氧化矽已完全去除；若氧化矽下非純矽，則自行預估時間，或長氧化層時多加一片控片來當作蝕刻完畢的指標。 取出鐵氟龍晶舟，由內往外依序經過三段清洗槽，每槽 dip 15 次左右，至最外槽時將手把取下一同靜置清洗，等待水阻值達到 8MΩ 以上〈CELL 1〉即可。 (若5 分鐘後水阻值達不到 8MΩ 以上，表示水阻值偵測器髒了，超過 5 分鐘可取出鐵氟龍晶舟。 使用完關閉水閥及電燈。 可至旋乾機進行旋乾圖7或化學站三以氮氣槍吹乾圖25 使用限制及注意事項 僅能進乾淨的(未做過任何製程或者已經經過化學站二標準清洗流程後的晶片)或者爐管出來的晶片，不可進含金屬、有機物之晶片。 不可調整溫控器的溫度設定及定時器設定值及其他相關設定值。 標準清洗專用去氧化矽 10 : 1 槽，只能用來去掉因標準清洗所產生的氧化矽，嚴禁用於其它去氧化矽之用途以避免污染。 化學站一的三段清洗槽不可以用來清洗表面上含有光阻或金屬的晶片以避免污染。 在化學站二泡過任一酸槽的晶片，務必先在化學站二以三段清洗槽清洗乾淨後〈至8MΩ〉，方可拿至化學站一內，以避免污染。 DI 水使用完畢後