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宽禁带半导体材料与器件-华中科技大学研究生院
表7． 光学与电子信息 学院（系、所） 研究生课程简介
课程名称：宽禁带半导体材料与器件 英文名称：Wide Bandgap Semiconductor Materials and Devices 课程类型：(讲授课程 □实践（实验、实习）课程 □研讨课程 □专题讲座 □其它 考核方式： 笔试 教学方式：课堂PPT授课 适用专业： 理工文医各专业 适用层次： 硕士 □ 博士( 开课学期： 第二学期 总学时/讲授学时：32 / 学分：2 先修课程要求：固体物理 或 半导体物理 课程组教师姓名 职 称 专 业 年 龄 学术专长 陈长清 教授 半导体 41 半导体 黄黎蓉 副教授 半导体 43 半导体 吴志浩 副教授 半导体 32 半导体 戴江南 讲师 半导体 32 半导体 课程教学目标：
通过这门课程教学，使学生掌握宽禁带半导体材料与器件方面的基本理论与方法，使学生掌握宽禁带半导体器件的基本概念、工作原理及研究前沿等，具体来说，一是使学生了解宽禁带半导体材料与器件方面的研究前沿与动态；二是培养学生具有扎实的宽禁带半导体材料与器件方面理论功底，为其学习和进一步深入研究奠定基础；三是为学生从事宽禁带半导体材料与器件等方面的科学研究、教学或担负专业技术工作打下基础。
教学大纲（章节目录）：
本课程共分为七章进行授课：
第一章 宽禁带半导体导论
第二章 宽禁带半导体材料生长
§2.1 GaN材料生长
§2.1 SiC材料生长
§2.3 ZnO材料生长
第三章 GaN基LED和LD
§3.1 GaN基LED
§3.2 半导体白光照明
§3.3 大功率半导体发光管
§3.4 GaN基LD
第四章 GaN基深紫外LED和探测器GaN基LED
§4.2 GaN基GaN基GaN基基基 （自编）碳化硅宽带隙半导体技术
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