扫描及氧化技术-国立勤益科技大学.PDF

96 光電材料與平面顯示技術開發成果發表會教材 原子力顯微鏡(Atomic Force Microscope, AFM) 掃描及氧化技術 報告者 ：潘吉祥 國立勤益科技大學自動化工程系教授兼學務長 1 顯微檢測分析儀器性能比較 光學顯微 掃描電子 穿透電子顯 掃描探針 術 顯微術 微術 顯微術 (OM) (SEM) (TEM) (SPM) 橫向解析度 200 奈米 1奈米 原子級 原子級 縱向解析度 20 奈米 10奈米 無 原子級 成像範圍 1毫米 1毫米 0.1毫米 0.1毫米 成像環境 無限制 真空 真空 無限制 樣品準備 無 鍍導電膜 手續繁複 無 成份分析 有 有 有 無 2 掃描探針顯微鏡(Scanning Probe Microscope ，SPM) • 1982年IBM蘇黎世研究所的 Gerd Binnig和 Heinrich Rohrer共同發明掃描 穿隧顯微鏡(scanning tunneling microscope ，STM)之後 ，人類在探討原 子尺度更向前跨出了一大步 ，對於材料表面現象的研究也更加的深入 。 •掃瞄式探針顯微鏡是個大家族 ，自 STM後 ，有幾十種類探針顯微鏡不斷 地被開發出來 ，除了原子力顯微鏡 (Atomic Force Microscopy ， AFM) ，還包括 ：近場光學顯微鏡(Scanning Near- Field Optical Microscopy) 、磁力顯微術 (magnetic force microscopy) 、化學力顯微鏡 (chemical force microscopy) 、掃描式熱電探針顯微鏡(Thermal-voltages in scanning Tunneling Microscope) 、掃描式電子自旋解析探針顯微鏡 (Spin-polarized scanning tunneling microscopy) 、掃描式光電子探針顯 微鏡 (Photoemission scanning tunneling microscope) 、掃描式雷射探針 顯微鏡 (Laser scanning tunneling microscope) 、靜電力顯微術 (electrostatic microscopy) 、側向摩擦力顯微術 (Lateral force microscopy) 3 4 原子力顯微鏡基本架構之示意圖 1985年IBM Binning及Gerb