双槽栅SOI LDMOS器件结构及其制造方法研究.pdfVIP

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2017-07-16 发布于北京
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双槽栅SOI LDMOS器件结构及其制造方法研究.pdf

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VoI．27No．2 科技通报第27卷第2期 Mar．2011 BULLETINOFSCIENCEAND’FECHNOLOGY 2011年3月双槽栅SOILDMOS器件结构及其制造方法研究许生根，张海鹏+，齐瑞生，陈波 (杭州电子科技大学电子信息学院，杭州310018) LDMOS 摘要：提出了一种具有双槽栅(DTG)SOlLDMOS新结构及其制造方法。与单槽栅(STG)SOI SOl TCAD对该结相比，DTG LDMOS具有更高的占穿电压，更低的通态电阻，更高的跨导。通过Silvaco SOI 构进行了工艺仿真和器件电学特性模拟，结果表明DTG LDMOS器件不仅具有较好的电学性能，而且可以采用SOlCMOS工艺制造。关键词：微电子学与固体电子学；双槽栅；SOlLDMOS；电学特性；制造方法中图分类号：TN386 文献标识码：A 文章编号：1001—7119(2011)02—0258—05 DeviceStructureand MethodforSOILDMOSwith Fabricating DoubleTrenchGatesandPlates XU NG Bo Shenggen，ZHAH却eng，QtRuisheng，CHEN (Schoolof Dianzi 310018，China) ElectronicsInformation。HangzhouUniversity．Hangzhou were inturn．DTG Abstract：AnovelSOILDMOSwithDoubleTrenchGate(DTG)anditsfabricationmethodproposed SOILDMOShas of breakdown transconductanceover advantageshigher voltage，loweron-resistance，higher Single Trench results andelectricalcharacteristicsobtainedwithSiivacoTCAD Gate(STG)SOILDMOS．SimulatedOH process indieatethatthe DTGSOILDMOScellnot hasbetterelectricalcharacteristics．butalsoi$feasibletobe proposed only fabricatedinSOICMOS technologies． words：microelectronicsandsolidstate trench characteristics；fabri— Key electronics；double LDMOS；electrical gate；SO