石英玻璃金属化的蒙特卡洛模拟-表面技术.PDF

第43卷摇 第5期 摇 摇 摇 表面技术 摇 摇 2014年10月 SURFACE TECHNOLOGY ·105 · 試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試 石英玻璃金属化的蒙特卡洛模拟 崔新强,陈佳,李海兵 (中国科学院上海光学精密机械研究所,上海201800) 摘摇 要: 目的摇 通过SRIM程序模拟,对石英玻璃金属化工艺进行优化。 方法摇 对不同情况界面进行对 比分析,配合SRIM程序模拟,得出理想的金属化界面,提出通过增加阻挡层的方法来得到这种界面。 分 析SRIM程序模拟结果,选取阻挡层分别为5,10,15,20 nm四种厚度,模拟能量20 keV 的Ti 离子注入不 同厚度阻挡层样品中的射程分布,获取合适的阻挡层厚度,并利用高低温冲击方法进行验证。 结果摇 合 适的阻挡层厚度范围为10~15 nm,在此范围内,注入的Ti 离子最大浓度位置集中在金属化层与石英玻璃 之间的界面附近。 结论摇 利用SRIM程序模拟可以得出最佳的阻挡层厚度范围,提高金属化层的性能。 关键词:蒙特卡洛;金属化; 离子注入 中图分类号:TG174.444摇 摇 摇 文献标识码:A摇 摇 摇 文章编号:1001鄄3660(2014)05鄄0105鄄04 Monte鄄Carlo Simulation of Quartz Glass Metallization CUI Xin鄄qiang,CHEN Jia,LI Hai鄄bing (Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics,Chinese Academy of Sciences,Shanghai201800,China) ABSTRACT:Objective To optimize the process of quartz metallization through SRIM simulation. Methods Though comparative analysis of different interfaces combined with SRIM simulation,the ideal metallization interface was obtained. The approach of adding theblockinglayerwasputforwardtogettheinterface. TheSRIMsimulationresultswereanalyzed,andfour kindsof thick鄄 ness (5,10,15,20 nm)were selected. The range distribution of Ti ion with the energy of 20 keV implanted into specimens of blockinglayerwithdifferentthicknesseswassimulatedtoselecttheappropriatethicknessandthemetallizationlayerwastestedwith the method of high and low temperature shock. Results The rangefor the appropriate thickness of the blocking layer was 10 ~15 nm. Within thisrange,thesiteforthemaximumconcentrationof implantedTiwasneartheinterfacebetweenthemetallizationlay鄄 er andthequartzglass. ConclusionForthedifferentionimplantationenergy,thesimulationcouldobtain