绝缘层上覆锗之热光吸收光调变器-科技部工程科技推展中心.PDF

行 年 類 行 年年 行 立 參理 理龍 理 理 理 利 年 年 中文摘要 本二年期計畫目的為研製與探討新型之熱光吸收光調變器，並結合矽電子製程與 元件為目標，以應用於矽光電。此熱光調變器之操作方式是令光進入元件後，利用外 加電壓於鍺兩側的電極來加熱(resistive-heating)鍺區域，造成其溫度上升並改變鍺之吸 收係數，進而控制通過元件之光強度，並在反射光譜圖上產生紅位移(red shift) ，以達 到調變的效果。 本計畫於第一期已成功設計、製造出原型之絕緣層上覆鍺(GOI) 光調變器，將鍺/ 絕緣層 /金屬之構造黏合於矽晶圓基板，再以應用於矽電子製程之後段機台製作光調變 器，使其可與互補式金氧半 (CMOS)製程相容。此一新型調變器為垂直型設計，易於光 耦合與陣列式結構之應用。並已成功搭建光電調變量測系統，以觀察其電 -熱- 光與熱- 光調變效果。量測結果顯示此調變器利用底部之金屬反射層與表面之鍺/ 空氣反射層可 形成共振腔，具有極佳之共振效果，可提升其有效光路徑，增加光調變之對比度。 本計畫於第二期之研究中，成功的設計並製造出低功率之垂直式鍺熱光調變器， 利用上述之原型光調變器配合更高效能之最佳化設計，故將光調變器元件體積作微縮 化，並於元件上沉積一層二氧化矽，作為抗反射層之用，有效提高元件之操作速度與 調變對比度。最後藉由光調變量測系統量測其光譜圖與電 -光曲線，在 1 V (0.7 mW之 加熱功率)的偏壓及 1553 nm的波長下，其光調變對比度與光調變上升 /下降響應時間 分別可達 5.4 dB ，540 ns 與 600 ns ，又在4 mW的加熱功率及 1554.4 nm的波長下，其 光調變對比度可上升至 7.1 dB ，而光調變上升/下降響應時間可降至 240 ns 與 210 ns ， 故以此方式做成的光調變器元件具低操作電壓、製程步驟簡單、低溫製程 ( 400 ℃ ) 等優點，極有商用化之潛力。 本研究團隊將持續研究此一新型態之光調變器，並進一步量測其調變表現。此元 件可做為獨立之光調變器，亦可結合矽電子以應用於光連線上之光電元件。 關鍵字 矽光電，光連線，熱光吸收效應，光調變，絕緣層上覆鍺。: I English Abstract A novel type of optical modulators based on electro-thermo-absorption effect has been proposed and investigated in this two-year project. It is targeted to combine the silicon electronic fabrication process and optical devices for silicon photonics applications. The thermo-optic modulator utilizes the lateral self-resistive-heating method to raise the device temperature and change the absorption coef