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- 2017-07-16 发布于浙江
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课程目标;;;;;1)存储结构为哈佛结构,将程序存储器和数据存储器分开;;;;;;;;;;;;;;;; 第二节 并行I/O接口; 当由P0口输入数据时,由于外部输入信号既加在缓冲输入端上,又加在驱动电路的漏极上。如果这时T2是导通的,则引脚上的电位始终被钳位在0电平上,输人数据不可能正确地读人。因此,在输入数据时,应先把P0口置1,使两个输出FET均关断,使引脚“浮置”,成为高阻状态,这样才能正确地插人数据。这就是所谓的准双向口。;P3.0(RXD):串行输入端。
P3.1(TXD):串行输出端。
P3.2(INTO):外部中断0输入端,低电平有效。
P3.3(INT1):外部中断1输入端,低电平有效。
P3.4(T0):定时/计数器0外部事件计数输入端。
P3.5(T1):定时/计数器1外部事件计数输入端。
P3.6(WR):外部数据存储器写选通信号,低电平有效。
P3.7(RD ):外部数据存储器读选通信号,低电平有效。 ;P0~P3的功能及使用时的注意事项;单片机的片外三总线结构; 第三节 MCS-51单片机的复位;几种实用的复位电路 ;;
外部
ROM;;;1、工作寄存器区(00H~1FH )
分成4组,每组8个寄存器R0-R7;;;;;? MCS-51及其5l子系列的其它成员都具有相同的中断结构。
8051有5个中断源——
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