第4章常用半导体器件原理.pptVIP

图 4.5.1 　JFET的原理结构和电路符号 (a) N沟道JFET； (b) P沟道JFET 　　从结构上看， N沟道JFET是在一块N型半导体的两侧，通过高浓度扩散形成两个重掺杂的P+区， 得到两个PN结， 中间的N型半导体形成导电沟道。 P沟道JFET的半导体材料结构则正好相反。 JFET的两个重掺杂区接在一起， 引出一个电极， 称为栅极(G)， 导电沟道两端各自引出一个电极， 分别称为源极(S)和漏极(D)。 　　1. 工作原理 　　以N沟道JFET为例， 如图4.5.2(a)所示。 图 4.4.4　晶体管的输出特性 (a) NPN型晶体管； (b) PNP型晶体管 　　1) 放大区 　　当晶体管的发射结正偏， 而集电结反偏时， 工作点在放大区内。 在放大区内， iB对iC的控制作用十分明显。 可以用共发射极交流电流放大倍数来衡量iB的变化量与iC的变化量之间的关系： (4.4.9) 放大区内只要|iC|不很大或很小， β的取值基本上不随iC变化， 而且因为反向饱和电流ICBO很小， 　　　。 另外， 当uCB为常数时， iC的变化量与iE的变化量之比定义为共基极交流电流放大倍数： (4.4.10) 　　　　所以α和β之间有与　　和　　之间同样的换算关系。 　　放大区内的输出特性曲线近似水平， 说明uCE变化时， iC变化不大。 所以当输出端接不