低温多晶硅薄膜晶体管(p—SiTFT)制作新技术摘要.pdfVIP

维普资讯 2003年第44卷第1期 光电技术ELECrRO．OPTlCSTECHNOLOGY v01．44N0．1．2003 低温多晶硅薄膜晶体管 (p—SiTFT)制作新技术 季旭东 (华东电子集团公司．南京210028) 摘要 制作低温多晶硅薄膜晶体管层是制作高性能液晶显示器件技术的一个重要组成部分。本文对制 作液晶显示器件的多晶硅薄膜晶体管层工艺及其改进进行了讨论。 关键词 低温多晶硅 液晶显示 薄膜晶体管 技术制造 TheNew TechnologyforM anufacturing Low-TemperaturePoly-SiFilm JiXudong (HuadongElectronGroupCo．Nanjing 210028) Abstract Mamdecturinglow ·temperaturep-SiTFTlayerplaysisanimportantroleinthetechnologyofLCDs． Theartofmanufecturingp-SiTFT layeranditsdevelopmentaredescribedinth paper． Keyword low-temperaturep-Si LCD TFT technology mantdecture 1 引言 l 目前，低温多晶硅薄膜晶体管 (p．siTFT)技术已成为制作高性能 TFT—ICD器件的关键 技术，因为p-SiTFT有以下优点： (1)具有高电子一空穴迁移率，高稳定性； (2)可以制成为显示器件象素的开关元件； (3)可以制成集成化驱动电路，从而降低显示器件的制作成本。 除了上述优点外，作为低温p-SiTFT技术，它所需要的制作温度不高，因而可以用玻璃基 底取代价格昂贵的石英或单晶硅基底，这在很大程度上改善了显示器件的价格性能比。 正是由于上述原因，p．siTFT技术在以液晶显示 (LCD)为代表的平板显示(FPD)技术的 开发中得到 了较快的发展。p．SiTFT 的制作 目前 已有多种工艺，如低压化学气相蒸镀 (LP ，I))法、溅射沉积法、等离子体增强化学气相蒸镀(PECVD)法等。在以这些方法制作P． SiTFT时，还使用了窑炉烧结、快速热烧结以及激光晶化等技术，以使基底上预置的氢化非晶 硅(a．Si：H)膜向p-Si转化。本文将对这些工艺技术进行讨论。 维普资讯 光电技术 第44卷 2 p-SiTFT工艺 2．1 优化 PECv1)法 以PECVD法制备获取p-SiTF1r用a-Si预置膜是最通用的方法…，以这种方法制备的膜 中含有较多的氢成份。当进行激光晶化时，会引起氢氧化物的大量释放，导致膜的消融或使 p-Si层表面出现非理想的粗糙面。日本T．Takehara等人对传统的PECVD法进行了优化，目 的在于使a-Si预置膜中的氢含量尽可能的低，以经受住激光晶化处理而不会发生氢扩散、膜消 融或表面粗糙化等现象。 本方法使用的气体是氢化硅 (siH4)，沉积时的基底温度为300--400℃，SiH4气的压强范 围为53．2—266Pa。以本方法制作的a-Si膜中氢含量为 1％一10％，低于传统 PECVD法的 8％一l5％。本方法是在传统的PECVD系统中进行的。对于以本方法制备的a-Si预置膜进 行了激光晶化。激光晶化使用的激光器是氙氯(XeO)基态激光器，其发射的激光脉冲波长为 308nm，激光晶化可 以在真空中，也可 以在大气 中进行。在这之后，以原子力显微镜 (AFM)与 传输 电子显徽镜(TEM)对激光晶化处理的薄膜进行了表面粗糙度与薄膜颗粒尺寸的测量。 经测量得知。激光晶化生成的p-Si薄膜表面的粗糙度是随预置的a-Si膜厚度增加的。如果在