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Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm Chapter 11金屬化製程 目標 解釋金屬化製成的元件應用 列出最常使用的三種材料 列出三種金屬沉積的方法 說明濺鍍製程 解釋在金屬沉積製程中高真空需求的目的 金屬化製程 定義 應用 物理氣相沉積 vs. 化學氣相沉積 方法 真空 金屬 製程 未來的趨勢 金屬化製程 處理在晶圓表面沉積金屬薄膜. 應用 金屬連線 匣極和電極 微-鏡面(micro-mirror) 融合(Fuse) CMOS: 標準金屬化製程 應用: 局部連線 應用: 局部連線 取決於金屬化製程 最常使用的是銅—鋁合金 80~90年代的技術：鎢栓塞 鈦, 焊接層 TiN, 阻擋層, 附著與抗金屬反射鍍膜層 未來使用的是 – 銅! 以銅當導體連線的IC剖面圖 晶圓製造流程圖 應用: 匣極和電極 Al 匣極和電極 多晶矽代替鋁作為匣極的材料 金屬矽化物 WSi2 TiSi2 CoSi2, MoSi2, TaSi2, … Pt, Au, …在DRAM電容器作為電極 問與答 我們是否能夠根據圖形尺寸的縮小情況以同比例縮減金屬線的比例? 應用: 微鏡面(Micro-mirror) 數位投影顯示 鋁—鈦合金 小晶粒，高反射力 “家庭劇院” 應用: 融合(Fuse) 可程式化唯讀記憶體 (PROM) 高電流產生的熱，會熔化鋁線形成斷路 多晶矽被用來作為融合的材料(fuse materials) 導電薄膜 導電薄膜 多晶矽 金屬矽化物 鋁合金 鈦 氮化鈦 鎢 銅 鉭 多晶矽 匣極與局部連線的材料 1970年代中期取代鋁而成為匣極材料 具高溫穩定性 離子佈植後的高溫退火所必要的 鋁匣極無法用在自我對準源極/汲極佈植 重度摻雜 以LPCVD製程在高溫爐沉積 金屬矽化物 金屬矽化物的電阻率比多晶矽低很多 TiSi2, WSi2, 和 CoSi2 都是常用的選擇 金屬矽化物 TiSi2 和 CoSi2 氬濺射從晶圓表面移除原生氧化層 Ti 或 Co 沉積 退火製程形成金屬矽化合物 Ti 或 Co 不與SiO2反應, 金屬矽化物在矽和Ti 或Co接觸之處形成 濕式蝕刻製程剝除未反應的Ti 或 Co 選擇性的再次退火以增加傳導率 自我對準的鈦金屬矽化物的形成步驟 矽化鎢 加熱 CVD 製程 WF6 當作鎢的源材料 SiH4 作為矽的源材料. 多晶金屬矽化物堆疊結構在多重步驟製程中進行蝕刻 用氟化學品蝕刻WSix 用氯化學品蝕刻多晶矽 光阻剝除 快速加熱退火增加矽化鎢的晶粒尺寸和導電率 鋁 最常當作連線使用的金屬 第四佳的電傳導金屬 銀 1.6 mW?cm 銅 1.7 mW?cm 金 2.2 mW?cm 鋁 2.65 mW?cm 1970年代中期以前曾被用作匣極的材料 鋁—矽合金 在源極/汲極的區域中，鋁金屬線可以直接與矽接觸 矽會熔解入鋁中，鋁會擴散進入矽中 尖突現象 鋁的尖突物穿透摻雜接面 使源極/汲極與基片形成短路 通常~1% 就可以讓矽在鋁中達到飽和 在攝氏400 ?C 時的加熱退火會在矽鋁介面形成矽鋁合金 尖突現象 電遷移 鋁是一種多晶態材料 包含很多小型的單晶態晶粒 電流通過鋁線 電子不斷的轟擊晶粒 較小的晶粒就會開始移動 這個效應就是電遷移(electromigration) 電遷移 電遷移會造成金屬線的撕裂 高電流密度在剩下的金屬線 加劇電子轟擊 引發更進一步的鋁晶粒遷移 最後造成金屬線的崩潰 影響IC晶片的可信賴度 鋁金屬線：老房子將有火災的危害 電遷移的預防 當少量百分比的銅與鋁形成合金，鋁的電遷移抵抗性會被顯著的改善 銅扮演了鋁晶粒間的黏著劑角色，並且防止他們因電子轟擊而遷移 Al-Si-Cu 合金被使用 Al-Cu (0.5%) 是最常使用的連線金屬 鋁合金沉積 物理氣相沉積(PVD) 濺鍍 蒸鍍 加熱蒸鍍法 電子束蒸鍍法 化學氣相沉積 乙烷氫化鋁 [DMAH, Al(CH3)2H] 加熱製程 PVD vs. CVD CVD: 表面上的化學反應 PVD: 表面上沒有化學反應 CVD: 較好的階梯覆蓋 (50% to ~100%)和間隙填充能力 PVD: 較差的階梯覆蓋 (~ 15%)和間隙填充能力 PVD vs. CVD PVD: 品質較高，純度較好的沉積薄膜, 導電性較高，容易沉積合金 CVD: 薄膜中總是有不純度，導電性低，合金很難沉積 鋁的一些基本資料 鈦 應用 形成金屬矽化物 鈦的氮化作用 潤濕層 焊接層 焊接層 降低接觸窗的電阻. 鈦可以清除氧原子 防止形成高電阻率的WO4 和 Al2O3. 使用TiN 作為擴散阻擋層 避免鎢擴散進入基片 鈦的應用 鈦的基本資料 氮化