10Gbit／s018μm CMOS激光驱动器的集成电路 - 东南大学学报.PDF

第３５卷第４期 东南大学学报（自然科 学版 ） Ｖｏｌ３５ Ｎｏ４ 　 ２００５年７月 ＪＯＵＲＮＡＬＯＦＳＯＵＴＨＥＡＳＴＵＮＩＶＥＲＳＩＴＹ（ＮａｔｕｒａｌＳｃｉｅｎｃｅＥｄｉｔｉｏｎ） 　 Ｊｕｌｙ２００５ 　　　　　　 １０Ｇｂｉｔ／ｓ０１８ ｍＣＭＯＳ激光驱动器的集成电路 μ 雷　恺　冯　军　 黄　璐　 王志功 （东南大学射频与光电集成电路研究所，南京２１００９６） 摘要：为了得到低电压、低功耗、高速率的激光驱动器电路，采用０１８ ｍＣＭＯＳ工艺设计了１０ μ Ｇｂｉｔ／ｓ的激光驱动器集成芯片．电路的核心单元为两级直接耦合的差分放大器和电流输出电路． 为扩展带宽、降低功耗，电路中采用了并联峰化技术和放大级直接耦合技术，整个芯片面积为 ０９４ｍｍ×１２５ｍｍ．经测试，该芯片在１７Ｖ电源电压时，最高可工作在１１Ｇｂｉｔ／ｓ的速率上；当 输入１０Ｇｂｉｔ／ｓ、单端峰峰值为０３Ｖ的信号时，在５０ 负载上的输出电压摆幅超过１７Ｖ，电路 Ω 功耗约为７７４ｍＷ．进一步优化后，该电路可适用于ＳＴＭ６４系统． 关键词：激光驱动器；ＣＭＯＳ；直接耦合 中图分类号：ＴＮ９１１　　文献标识码：Ａ　　文章编号：１００１－０５０５（２００５）０４０５１００４ １０Ｇｂｉｔ／ｓ０１８ ｍＣＭＯＳｌａｓｅｒｄｉｏｄｅｄｒｉｖｅｒＩＣ μ ＬｅｉＫａｉ　ＦｅｎｇＪｕｎ　 ＨｕａｎｇＬｕ　ＷａｎｇＺｈｉｇｏｎｇ （ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＲＦ＆ＯＥＩＣｓ，ＳｏｕｔｈｅａｓｔＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎａｎｊｉｎｇ２１００９６，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｏｇｅｔｌｏｗｐｏｗｅｒｃｏｎｓｕｍｅａｎｄｈｉｇｈｓｐｅｅｄ，ａｃｈｉｐｄｅｓｉｇｎｏｆｌａｓｅｒｄｉｏｄｅｄｒｉｖｅｒｃｉｒｃｕｉｔ ｕｓｉｎｇ１０Ｇｂｉｔ／ｓ０１８ ｍＣＭＯＳ（ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙｍｅｔａｌｏｘｉｄｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙｉｓｐｒｅｓｅｎ μ ｔｅｄ．Ｅｍｐｌｏｙｉｎｇｄｉｒｅｃｔｌｙｃｏｕｐｌｅｄｔｗｏｓｔａｇｅｓｏｆｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌａｍｐｌｉｆｉｅｒｓ，ｔｈｅｃｉｒｃｕｉｔｃａｎａｍｐｌｉｆｙｔｈｅｉｎ ｐｕｔｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌｓｉｇｎａｌａｍｐｌｉｔｕｄｅｆｒｏｍ０３ｔｏ１７Ｖｏｎ５０ ｌｏａｄａｔ１０Ｇｂｉｔ／ｓ．Ｔｈｅｏｎｃｈｉｐｔｅｓｔ Ω ｓｈｏｗｓｔｈａｔｔｈｅｈｉｇｈｅｓｔｗｏｒｋｉｎｇｓｐｅｅｄｒａｔｅｏｆｃｉｒｃｕｉｔｉｓ１１Ｇｂｉｔ／ｓ，ｗｉｔｈａｔｏｔａｌｐｏｗｅｒｃｏｎｓｕｍｐｔｉｏｎｏｆ ａｂｏｕｔ７７４ｍＷ．Ｔｈｅｃｈｉｐｓｉｚｅｍｅａｓｕｒｅｓ０９４ｍｍ×１２５ｍｍ．ＴｈｅｃｉｒｃｕｉｔｉｓｓｕｉｔａｂｌｅｔｏＳＴＭ６４ｓｙｓ ｔｅｍａｆｔｅｒｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ． Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ｌａｓｅｒｄｉｏｄｅｄｒｉｖｅｒ；ＣＭＯＳ；ｄｉｒｅｃｔｃｏｕｐｌｅｄ 　　近年来，随着数据及多媒体通信的飞速发展， 变、电信号向光信号转变的关键电路，是光纤传输 光纤网已得到广泛应用．目前光纤传输系统采用同 系统发射机的核心单元，因此得到了广泛而深入的 步数字体制 ＳＤＨ，我国骨干网光纤传输的速率已 研究．但大多数工作速率达到１Ｇｂｉｔ／ｓ的激光驱动 经达到２５Ｇｂｉｔ／ｓ（ＳＴＭ１６），而 １０Ｇｂｉｔ／ｓ（ＳＴＭ 器集成电路采用的是砷化镓（ＧａＡｓ）或双极性硅 ６４）在不久的将来也将成为主流．光纤通信的优点 （ｓｉｌｉｃｏｎｂｉｐｏｌａｒ）等