7纳米FinFET技术 - GlobalFoundries.PDF

7LP 7纳米FinFET技术 亮点 正确的技术用于正确的应用™ ™ • 7纳米FinFET技术 格芯7LP 7nm FinFET 制程技术平台是高性能、低功耗片上系统（SoC） + 第三代FinFET 制程技术平台 在高要求和大批量应用中的理想选择。 + 在纽约州萨拉托加郡的世界领先设施进 3D FinFET 晶体管技术提供世界顶级的性能和功耗，以及 7nm 微缩工 行制造 艺的面积和成本优势。与 14nm 技术相比，7LP 技术可提升超过 40% • 高性能高功率效率SoC应用的理想选择 的设备性能且降低超过 60% 的总功耗。 + 云/数据中心服务器 + 虚拟现实技术的CPU和GPU + 高端移动处理器 + 有线及无线网络 + 汽车高级驾驶辅助系统 + 人工智能- DNN/CNN • 全面的设计生态环境 + 完整的基础与复合IP库 L + 主流EDA与IP合作方支持的PDK与参考流 栅极长度缩小使得性能提升 g 程 + 强力可靠的DFM方案 • 完整的服务与供应链支持 FET 在其边缘开启 + 定期的多项目晶元计划 + 先进的封装与测试方案，包括了2.5D与 3D产品 • 降低电源 电压 • 减少关断状态下的漏电 • 更快的切换速度 双栅极减少关断电流 – 高驱动电流 7LP 7纳米FinFET技术 技术概述 针对应用进行优化的平台扩展 • 双阱 CMOS 传统 FinFET • 5 核设备 阈值电压 高性能 5GHz操作 服务器、数据中心、ASIC • 两个栅极介电层：薄的（屏栅极）和中等的 I/O （EG） 6T 17M 栅极/mm2 移动应用 • 全套的无源器件 • 可选 MIM 电容器，电熔丝 二级（规划中） 汽车 车载计算/网络 • VDD：标称 0.75V 或过载 0.85V • 标准温度范围： -40°C 至 125°C EUV 用于缩短周期和简化工艺 • 基于光刻技术的工艺且兼容 EUV • 金属化层达 17 层 IP概述 综合的 7LP FinFET 平台 IP 组合包括多种硅验证的高性 能、低功耗解决方案，适用于广泛的应用。 7nm 面积微缩的性能、功耗和成本优势