XU06066P-CS公开徵求厂商提供参考资料 - 国家中山科学研究院.DOC

國家中山科學研究院 「公開徵求廠商提供參考資料」公告申請表 案號 XU06066 品名 聯絡人 電話 郵遞信箱 傳真電話 (03)411-1271 申請事項 公開徵求廠商提供參考資料 提供公開閱覽 □是 ■否 (勾“否”者免加註閱覽「地點及時間」) 公開閱覽地點 □本院五號門開標中心 □ (其他地點請加註) 公開閱覽時間 本院上班日□上午0830至下午1630□ (其他時間請加註) 公開徵求廠商提供參考資料說明---限填1000個中文字 內容摘要 一、主要規格(功能)： 1.砷化鎵微波積體電路組晶圓： (1)標準0.15-μm gate length PHEMT 製程。(2)元件材質：GaAs基板。(3)基板厚度:100 μm±10 μm。(4)轉導最高值：450~650(ms/mm)。(5)汲極飽和電流：160~360(mA/mm)@Vgs=0V。(6)閘源極在轉導值最大值的電壓：-0.3~0.1(V)。(7)晶圓格式：直徑6吋±8%。 2.氮化鎵微波積體元件組晶圓： (1)標準0.25-μm GaN 製程(ISV)。(2)元件材質：SiC基板/GaN磊晶。(3)基板厚度：100 μm±10 μm。(4)轉導最高值：≧200(ms/mm)。(5)汲極最高電流：≧700(mA/mm)@Vgs=1V。(6)汲極飽和電流：≧500(mA/mm)@Vgs=0V。(7)晶圓格式：直徑4吋的四分之一，半徑2吋±10%。 3.砷化鎵微波積體電路組晶圓： (1)標準0.15-μm gate length PHEMT 製程。(2)元件材質：GaAs基板。(3)基板厚度:100 μm±10 μm。(4)轉導最高值：410~510(ms/mm)。(5)汲極飽和電流：380~550(mA/mm)@Vgs=0V。(6)閘源極在轉導值最大值的電壓：-0.3~0.1(V)。(7)晶圓格式：直徑6吋±8%。 4.氮化鎵微波積體元件組晶圓： (1)標準0.45-μm GaN 製程。(2)元件材質:SiC基板/GaN磊晶。(3)基板厚度：100μm±10μm。(4)轉導最高值：≧150(ms/mm)。(5)汲極最高電流：≧500(mA/mm)@Vgs=1V。(6)汲極飽和電流：≧500(mA/mm)@Vgs=0V。(7)晶圓格式：直徑4吋的四分之一，半徑2吋±10%。 5.砷化鎵微波積體電路組晶圓: (1)標準0.5-μm gate length PHEMT 製程。(2)元件材質：GaAs基板。(3)基板厚度:100 μm±10 μm。(4)空乏型閘極轉導最高值:280~380(ms/mm)。(5)增強型閘極轉導最高值:460~640(ms/mm)。(6)空乏型閘極汲極飽和電流:240~380(mA/mm)@Vgs=0V。(7)增強型閘極汲極飽和電流:0~0.01(mA/mm)@Vgs=0V。(8)晶圓格式：直徑6吋±8%。 6.砷化鎵微波積體電路組晶圓： (1)標準0.15-μm gate length PHEMT 製程。(2)元件材質：GaAs基板。(3)基板厚度:100 μm±10 μm。(4)轉導最高值：450~650(ms/mm)。(5)汲極最高電流：400~600(mA/mm)@Vgs=0.5V。(6)汲極飽和電流：160~360(mA/mm)@Vgs=0V。(7)閘源極在轉導值最大值的電壓：-0.3~0.1(V)。(8)晶圓格式：直徑6吋±8%。 二、數量：項次1:4片、項次2:8片、項次3:3片、項次4:4片、項次5:2片、項次6:1片。 三、交貨期限：採分批交貨，依藍圖製作，每批於收到本院藍圖之次日起90日曆天內繳交。 ■附記說明： 廠商如提供本案之相關規格、功能、價格等參考資料，經本院接受者，該廠商經本單位評估可行後，將列為本院邀請參與本標案對象之一。請相關廠商踴躍提供參考資料及報價。 PS:廠商報價單請註明案號寄-桃園龍潭郵政90008-27信箱或傳真(03)471-1494蔡聰敏先生收，其餘事項請逕洽聯絡人(承辦人)。