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太阳电池材料与生产基础 微电子的发展史－集成电路的发展 1、1904年和1906年真空二极管和真空三极管的问 世； 2、1950年世界上第一个结型晶体管诞生； 3、1958年世界上第一块集成电路研制成功； 4、日本公司将集成电路从军事用途带入民用领域。 1951年在贝尔实验室诞生； 60年代用于航天领域，转换效率为10%； 70年代技术迅速发展，使用于民用领域；转换效率为20%； 90年代在规模生产，效率不断提高；销售量以每年25%的速度递增。 微电子的发展史－太阳能电池的发展 半导体基本知识 定义 导体： 能导电的物体；（如：银、铜、铝等） 绝缘体：不容易导电的物体；（如：橡皮、塑料、玻璃等） 半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物体。（如：锗、硅、硒等） 半导体的特性 有两种载流子——电子和空穴。纯净的（不含杂质）的半导体（称本征半导体）中有一个电子就必然有一个空穴。即电子和空穴的数量相等。 电子 空穴 本征半导体示意图 半导体的导电性 与导体和绝缘体不同，半导体的导电性能受温度的影响很大。 当温度升级1℃时，它的电导率就要增加百分之几到百分之十几，这是由于半导体中的本征载流子随温度升高而增加的缘故。而导体和绝缘体的电导率随温度的变化却很小。 Ｎ型半导体 掺入杂质锑（或磷、砷之类）：新产生的电子数量远远超过原来未掺入杂质前的电子或空穴的数量。电子的数目以压倒多数超过空穴，导电作用主要由电子来决定，电子称为“多数载流子，空穴称“少数载流子”。 这种类型半导体叫电子型半导体，简称n型半导体。 电子 空穴 n型半导体示意图 Ｐ型半导体 掺入杂质铟（或铝、硼之类）：这块半导体中会产生许多新的电子和空穴。空穴的数目以压倒多数超过电子，导电作用主要由空穴来决定，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。 这种类型半导体叫空穴型半导体，简称p型半导体。 电子 空穴 p型半导体示意图 Ｎ型半导体的工作原理 n型半导体的多数载流子——电子在电场作用下向外加电压的“正端”移动，而少数载流子——空穴在电场作用下向外加电压的“负端”移动，在半导体内构成电流。电流方向与带负电的电子运动方向相反。 n型半导体 空穴移动方向 电子移动方向 电流方向 Ｐ型半导体的工作原理 p型半导体的多数载流子——空穴在电场作用下向外加电压的“负端”移动，而少数载流子——电子在电场作用下向外加电压的“正端”移动，在半导体内构成电流。电流方向与带正电的空穴运动方向相同。 p型半导体 电子移动方向 空穴移动方向 电流方向 二、P-N结的单向导电性 由于两边空穴和电子数量分布的不均匀： n型区域中邻近p型区域一边的薄层A中就有一部分电子扩散到p区。薄层A失去了一些电子，带正电。如图（a) p n + + + + + + 薄层A (a)电子由n区扩散到p区 载流子在半导体中的扩散 p型区域中邻近n型区域一边的薄层b中就有一部分空穴扩散到n区。薄层B失去了一些空穴，带负电。如图（b） p n - - - - - - 薄层B (b)空穴由p区扩散到n区 载流子在半导体中的扩散 由于空穴和电子的扩散，使薄层A带正电，而薄层B带负电，因此在薄层A、B间产生一个电场，如下图。这个电场的方向是由n区指向p区。这个电场会阻止电子继续往p区扩散也阻止空穴继续往n区扩散，但是刚开始电子和空穴的扩散占优势。 随着电子和空穴的不断扩散，n区和p区失去的电子和空穴越来越多，薄层A和B越来越厚，形成的电场的作用越来越强。最后，电场的作完全抵消了扩散，达到了动态平衡状态。 薄层A和薄层B称为“pn结”，又称“阻挡层”，厚度大约为10-4～10-5cm。 B A p n + + + + + + + - - - - - - - pn结电场方向 电子和空穴扩散在pn交界处产生的电场 实验：在pn结两端接上电池，电池正极接p型半导体，负极接n型半导体，如图（a），电流表有读数。电池正极接n型半导体，负极接p型半导体，如图（b），电流表的读数接近零。 结论：pn结具有只让电流从一个方向通过的单向导通性。 p n 电流方向 i （a） p n （b） pn结加压的实验 分析之一外加正向电压 当pn结正向连接时，即p区接电池正极，n区接电池负极，这时外加电压在pn结中产生的电场方向是由p区指向n区的，恰好与pn结原来形成的电场方向相反。 p n + + + + + + - - - - - - pn结电场方向 外加电场方向对pn结的影响 外加正向电压产生的电场方向 正向电流很大 （a）外加正向电压时阻挡层变薄 空穴移动方向 电子移动方向 + — 分析之二－外加反向电压 当pn结反向连接时，即p区接电池负极，n区接电池正极，这时外加电压在pn结中产生的电场方