半导体レーザーと光通信.PPT

物理システム工学科３年次「物性工学概論」第8回光エレクトロニクス(1)光電変換：太陽電池、CCDカメラ 物理システム工学科量子機能工学分野 佐藤勝昭 第６回の復習 さまざまな発光 励起方法による分類フォトルミネセンス(PL)、カソードルミネセンス(CL)エレクトロルミネセンス(EL)、注入型エレクトロルミネセンス(LED) 半導体ｐｎ接合 発光ダイオード LEDの原理 ｐｎ接合を順バイアス 電子は、ｐ層に注入 ホールはｎ層に注入 界面付近で再結合 第７回（ミニテスト）採点結果と解答のポイント 平均点：73.4点（最低20点、最高103点） 問題１：Drudeの式の導出：28.4/40 負の誘電率：電磁波の電界が加わったとき、電界と逆方向の電束密度が生じることを意味し、電磁界を遮蔽し、媒体の中に入れないように働く。 問題２：５問中２問選択 金属の展性：叩いて塑性変形しても非局在電子の海に正の原子核が浮かんでいる状態を保つことができる一方、半導体結晶では、価電子は共有結合を作って原子間の結合分子軌道に局在しているので、変形すると結合が保てず破壊が起きる 導電率：?=ne?。移動度?は、温度上昇とともに格子振動による散乱を受けてゆるやかに低下する。一方、キャリア密度nは、金属では温度変化しないのに対し、半導体では温度とともに指数関数的に増加する。 問題２：５問中２問選択つづき 熱伝導は格子熱伝導と電子熱伝導から成り立っている。ダイヤモンドは、格子熱伝導が主に寄与している。 半導体では、フェルミ準位が価電子帯と伝導帯の間のバンドギャップ内に来る 。一方、金属では、伝導帯の内部にフェルミ準位が来る 。 金における赤から緑にかけての高い反射率は自由電子の集団運動によるDrude則による負の誘電率が原因である。一方、黄鉄鉱の金色は、バンド間遷移による強い吸収が赤～赤外領域に存在するためである。 問題３：３問中１問選択 ヒトの網膜には赤、緑、青の波長にピーク感度をもつ３種類の錐体があり、３つの細胞の刺激の程度によってすべての色を感じる。 遷移金属とは周期表のIIIaからVIIIおよびIbにあり、不完全d電子殻をもつ元素である。電子の海に供給する電子数が多いことが結合の強さをもたらし、高い融点と硬さをもたらしている 食品においては、誘電率の虚数部の存在により、マイクロ波が吸収され食品が加熱される。一方、セラミクスにおいては、誘電率の虚数部のピークは赤外線の周波数にあるため、マイクロ波の吸収は少なく、加熱されない。 問題４：半導体の色 E[eV] =h[J?s]c[m/s]/(e[C]?[nm]×10-9)　=1240/?[nm]　（[nm]と[m]の換算) Si (1.1eV)：可視不透明、吸収端の波長は1127nm(赤外)であり、これより短い波長は全部吸収する。従って、可視光では不透明である GaP (2.2eV)：橙色、吸収端の波長は563nm(黄緑)で、これより長い波長（赤、橙、黄）を透過、橙色に見える CdS (0Kで2.6eV)：黄色、室温における吸収端の波長は477nm(青)で、緑、黄、赤が透過、黄色に見える ZnSe (2.67eV)：黄色、吸収端の波長は464nm(青) 、青緑、緑、黄緑、黄、橙、赤が透過、無色に近い薄い黄色 GaN (3.39eV)無色透明、吸収端の波長は365nm(紫外) 、可視光(780-380nm)は全部透過、無色である。 半導体のバンドギャップと透過光の色 問題５：半導体の発光 フォトルミネセンス：励起＝光、用途＝蛍光灯、プラズマディスプレイ(PDP) カソードルミネセンス：励起＝電子線、用途＝ブラウン管(CRT)、電界放出形ディスプレイ(FED) 真性エレクトロルミネセンス：励起＝電界、用途＝無機ELディスプレイ、有機ELディスプレイ、 注入形エレクトロルミネセンス：励起＝電子?ホールの注入、用途＝発光ダイオード(LED)、半導体レーザー(LD)、大型壁面ディスプレイ、交通信号機 第８回で学ぶこと 光電変換：光を電気に変える 光伝導(photoconductivity) 光電子放出(photoelectron emission) 光起電力効果(photovoltaic effect) フォトダイオード、フォトトランジスタ 太陽電池 光伝導 半導体において光照射により導電率が上がる（電気抵抗が下がる）効果 光によって生成されたキャリアが伝導に寄与 街灯の自動点灯用センサとして使用される。 光電流は必ずしも光強度に比例しない。真性半導体では光強度の２乗に比例 光伝導 光によってキャリア生成 電界によって移動する 再結合するまで伝導に寄与 トラップ準位があると、キャリアはいった