单根砷掺杂氧化锌纳米线场效应晶体管的电学及光学特性! - 物理学报.PDF

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 3$ ’ ##B ’ ， ， ， )TD 03$ ST 0’ UG+J ##B （ ） ###.B#1##B13$ #’ 163’#’ 4(?4 OPQRL(4 RLSL(4 !##B (M/+ 0 OMV: 0 RT8 0 单根砷掺杂氧化锌纳米线场效应 晶体管的电学及光学特性! 张俊艳 邓天松 沈 昕 朱孔涛 张琦锋 吴锦雷! （北京大学电子学系，纳米器件物理与化学教育部重点实验室，北京 ##$%） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） ##$ # ’ ##$ $ 采用化学气相沉积（ ）的方法在砷化镓基底上合成直径为 左右、长约数十微米的氧化锌纳米线，然后 ()* # +, 采用热扩散的方法，将生长于砷化镓基底之上的氧化锌纳米线通过 ， 的有氧退火处理后，获得了砷掺 ’## - .# ,/+ 杂的氧化锌纳米线 将获得的掺杂后的氧化锌纳米线采用电子束曝光以及真空溅射镀膜的方法将钛 金合金作为 0 1 接触电极引出，从而构建成场效应晶体管0 文中研究了单根氧化锌纳米线砷掺杂前后的电学特性，证实了通过砷掺 杂来获得 型的氧化锌纳米线的可行性 构建的 型砷掺杂氧化锌场效应晶体管的跨导为 ，载流子浓度为 2 0 2 .3 +41) $ 9 . ，迁移率为 ·测得单根砷掺杂氧化锌纳米线的光致发光谱：源于氧化锌近带边激子复合 56 7 # 8, ’ 5# 8, 1) : 0 所产生的位于.$. +, 处的近紫外光尖峰，由缺陷能级辐射所产生的位于3$# +, 附近的黄绿光带以及掺杂所形成 的 浅受主能级所引出的红光波段 这些电学及光学特性的研究将为获得基于单根氧化锌纳米线同质结的 4:;+ );+ 0 电致发光器件及逻辑器件的构建奠定基础0 关键词： 型 纳米线，砷掺杂，场效应晶体管，光致发光 2 ;+= ： ， ， ， !## %$# ’%#? %.’#@ %$33 杂的成功0 随着纳米电子器件发展的集成化，针对单 根的砷掺杂的氧化锌纳米线深入研究不可或缺 迄 5 引 言 0 今