场效应晶体管3DJ7.PDF

场效应晶体管3DJ7 3DJ7 是一种结型N 沟道高跨导场效应管，其输入阻抗极高，在放大器电路中常用作其 中的输入极。也常用作为恒流源。此外，利用改变栅源间的电压，可以方便的改变漏极电流 这一特性亦可用作可调电阻。 主要电参数 （如无特殊说明，测试条件中VDS=10V ） 型号 参数符号 单位 测试条件 3DJ7F 3DJ7G 3DJ7H 3DJ7I 3DJ7J 直 IDSS mA VGS=0V 1∼3.5 3∼11 10∼18 17∼25 24∼35 流 VP V IDS=-50µA 9 9 9 9 9 参 VDS=0V 数 R V =10V 7 7 7 7 7 GS Ω GS 10 10 10 10 10 IDS=3mA 交 gm µΩ f=1kHz 3000 3000 3000 3000 3000 流 CGS pF f=500kHz 8 8 8 8 8 参 CGD pF f=500kHz 3 3 3 3 3 数 KPS dB f=30MHz 10 10 10 10 10 fM MHz 90 90 90 90 90 BVDS V 20 20 20 20 20 极 BVGS V 20 20 20 20 20 限 PDM mW 100 100 100 100 100 参 IDSM mA 15 15 15 15 15 数 TS ℃ -55∼125 -55∼125 -55∼125 -55∼125 -55∼125 对其中的一些测试条件特别说明如下： IDSS ———沟道饱和电流（漏源饱和电流） IDS ———漏源电流 VGS ———栅源电压 VDS ———漏源电压 VP ———夹断电压（峰值电压） gm ———共源极小信号低频跨导 CGS ———栅源电容 CGD ———栅漏电容 KPS ———共源极功率增益 fM ———最高振荡频率 BVDS ———最大漏源击穿电压 BVGS ———最大栅源击穿电压 PDM ———漏极最大允许耗散功率 IDSM ———最大漏源电流 TS ———储藏温度 3DJ7 型硅N沟道耗尽型低频场效应晶体管 参数 单 3DJ7 测试条件 符号 位 D E F