非晶硅薄膜的快速热退火机理研究.pdf

维普资讯 第 35卷 第 5期 人 工 晶 体 学 报 VoI．35 No．5 2006年 l0月 JOURNAL 0F SYNTHETIC CRYSTAIS October，2006 非晶硅薄膜的快速热退火机理研究 陈永生 ，卢景霄 ，张宇翔 ，王生钊 ，杨仕娥 ，郜小勇 ，李秀瑞 (1．郑州大学材料物理重点实验室，郑州 450052；2．阳泉矿区二矿中学，阳泉 ~5008) 摘要：采用RTA方法对 PECVD沉积的a．si：H薄膜进行固相晶化是近年来发展起来的一种制备多晶硅薄膜的新方 法。通过研究不同退火工艺条件对薄膜结构的影响，来揭示快速热退火机理。研究表明短波长光 (≤730nm)的量 子效应在晶化过程中可能起着至关重要的作用。 关键词：多晶硅薄膜；快速热退火；固相晶化 中图分类号：TN304 文献标识码：A 文章编号：1000-985X(20o6)0s—l137-04 StudyontheM echanism ofAmorphousSiliconFilm PreparedbyRapidThermalAnnealingProcess CHEN y0 一sheng ，LU 一xiao ，ZHANG Yu—xiang ， WANG Sheng—zhao ，YANG Shi—e ，GA0 Xiao—yong ，LiXiu—rui (1．KeyLaboratoryofMaterialPhysicsofZhengzhouUinversity，Zhengzhou450052，China； 2．TheSecondMineralHighSchoolofYangquanMineralBureau，Yangquan~5008，China) (Received5February2006，accepted8May2006) Abstract：UsingrapidthermalannealingmethodtocrystallizeamorphoussilicondepositedbyPECVD isa new methodtoobtainpoly—siliconfilm．Theeffectsofdifferentannealingconditionsonthestructuresof filmswerestudied．Th eresultshowsthemechanism ofrapidthemralannealing．Itisindicatedthatthe quantumphoto—effectsofshortwavelengthlight(~730nm)maybedominatethecrystallizeprocessing． Keywords：poly—siliconfilm；rapidthemralannealing；solid—phasecrystallization 1 引 言 快速热退火(RTA)在近几年取得了快速发展，主要应用于薄膜晶体管、太阳电池等器件生产过程中的 掺杂、点缺陷退火、杂质激活等高温 (7oo℃)过程 l2j。最近在低温器件，如玻璃衬底多晶硅薄膜太阳电池 也具有很大的潜力。固相晶化非晶硅(a—Si)薄膜法是一种最常见的间接制备多晶硅薄膜方法。这种技术的 优点是能实现薄膜大面积化，且工艺简单。但传统的电热炉退火进行固相晶化时，晶化时间长达几个至几十 个小时 3j，耗能及制造成本高。而采用RTA，在较高温度下几分钟内就可使非晶硅晶化，而且晶化后的多晶 硅膜缺陷较少、内应力小 j。本课题组采用 RTA设备对石英衬底上沉积的a—Si薄膜的退火进行了大量的实 验 ，现主要对其退火机理进行探讨 。 2 a—Si：H薄膜退火晶化机理 a—Si：H薄膜虽不具有长程有序结构，但如不考虑悬键和空位，在一个原子或几个原子间距范围