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大规模集成电路工艺学 VLSI Technology 第二章 现代CMOS工艺 王怡飞 集成电路与系统实验室 Laboratory of Integrated Circuits Systems, USTC 提纲 y g o 集成电路工艺的发展 l o n h c 现代CMOS工艺基本流程 e T S O M C n r e d o M : y g o l o n h c e T I S L V 2 4 - 3 - 9 0 0 2 集成电路工艺的发展 y g o l o n h c e T S O M C n r e d o 集成电路工艺的发展 M 集成电路工艺的发展 : y g o l o n h c e T I S L V 3 4 - 3 - 9 0 0 2 一些关键的半导体技术列表 公元 技术 作者/发明者 y g 1918 柴可拉斯基晶体生长 Czochralski o l o 1925 理吉曼晶体生长 Brid8man n h c 1952 皿—v族化合物 welker e T 1952 扩散 Pfann S O 1957 图形曝光抗蚀剂 AndrMs M C 1957 氧化物掩蔽层 Frosch及Derrick n r 1957 化学气相淀积(CVD)外延晶体生长 Sheftal、Kokorlsh及KrasiloV e d o 1958 离子注入 Shockley M : 1958 混合型集成电路 Kilby y g o 1959 单片集成电路 Noyce l o n 1960 平面化工艺 Hoerni h c 1963 互补式金氧半场效应晶体管(CMOS) Wanlass及萨支唐 e T 1967 动态随机存储器(DRAM) Dennard I S L l969 多晶硅自对准栅极