第6节 微机接口_存储器.pptVIP

※ 闪速存储器可实现大规模电擦除。 ※ 闪速存储器的擦除功能可迅速清除整个器件中所有内容。 ※ 闪速存储器可以被擦除和重新编程几十万次而不会失效。 第六章 存储器系统 特点： 固有的非易失性  它不同于静态RAM，不需要备用电池来确保数据存留，也不需要磁盘作为动态RAM的后备存储器。 (2) 经济的高密度 Intel的1M位闪速存储器的成本按每位计要比静态RAM低一半以上。闪速存储器的成本仅比容量相同的动态RAM稍高，但却节省了辅助（磁盘）存储器的额外费用和空间。 特点： (3) 可直接执行  由于省去了从磁盘到RAM的加载步骤，查询或等待时间仅决定于闪速存储器，用户可充分享受程序和文件的高速存取以及系统的迅速启动。 (4) 固态性能  闪速存储器是一种低功耗、高密度且没有移动部分的半导体技术。便携式计算机不再需要消耗电池以维持磁盘驱动器运行，或由于磁盘组件而额外增加体积和重量。用户不必再担心工作条件变坏时磁盘会发生故障。 6.4 存储器的扩展 第六章 存储器系统 存储器扩充方法： 1、位扩展 2、字扩展 3、字位扩展 图6.8为单管动态RAM的基本存储电路，由MOS晶体管和一个电容CS组成。 刷新放大器 数据I/O线 T1 CS 行选择信号 图6.8 单管DRAM基本存储元电路 T2 列选择 信号 特点： (1) 每次读出后，内容被破坏，要采取恢复措施，即需要刷新，外围电路复杂。 (2) 集成度高，功耗低。 第六章 存储器系统 典型的动态RAM芯片 一种典型的DRAM如Intel 2164。2164是64K×1位的DRAM芯片，片内含有64K个存储单元，所以，需要16位地址线寻址。为了减少地址线引脚数目，采用行和列两部分地址线各8条，内部设有行、列地址锁存器。利用外接多路开关，先由行选通信号RAS选通8位行地址并锁存。随后由列选通信号CAS选通8位列地址并锁存，16位地址可选中64K存储单元中的任何一个单元。2164芯片的引脚和内部结构示意如图6.9所示。 图6.9 (a) Intel 2164 DRAM芯片引脚图 GND Din A7 A5 A4 A3 A6 Dout VCC A0 A1 A2 NC 2164 1 16 8 9 WE RAS CAS A0~A7：地址输入 CAS：列地址选通 RAS：行地址选通 WE：写允许 Din：数据输入 Dout： 数据输出 Vcc：电源 GND：地 图6.9 (b) Intel 2164 DRAM内部结构框图 Dout WE Din CAS RAS A7 … A1 A0 8 位 地 址 锁 存 器 128×128 矩阵 128个读出放大器 1/2列译码 128个读出放大器 128×128 矩阵 128×128 矩阵 128个读出放大器 1/2列译码 128个读出放大器 128×128 矩阵 4选1 I/O门控 输出缓冲器 行时 钟缓 冲器 列时 钟缓 冲器 写允 许时 钟缓 冲器 数据 输入 缓冲 器 包含： (1) 存储体 外围电路 a. 地址译码器 b. 读/写控制及I/O电路 c. 片选控制CS 三、RAM的组成 第六章 存储器系统 6.3 只读存储器(ROM) ROM主要由地址译码器、存储矩阵、控制逻辑和输出电路四部分组成（如图6.10所示），与RAM不同之处是ROM在使用时只能读出，不能随机写入。 第六章 存储器系统 输出电路 Y 译码 存储矩阵 X 译 码 控 制 逻 辑 地 址 码 · · · D7 D0 它包含有 (1) 地址译码器 (2) 存储矩阵 (3) 控制逻辑 (4) 输出电路 图6.10 ROM组成框图 第六章 存储器系统 一、掩膜ROM 特点： (1) 器件制造厂在制造时编制程序,用户不能修改。 (2) 用于产品批量生产。 (3) 可由二极管和三极管电路组成。 第六章 存储器系统 字译码结构 图6.11为二极管构成的4×4位的存储矩阵，地址译码采用单译码方式，它通过对所选定的某字线置成低电平来选择读取的字。位于矩阵交叉点并与位线和被选字线相连的二极管导通，使该位线上输出电位为低电平，结果输出为“0”，否则为“1”。 第六章 存储器系统 R R R