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a-Si:H TFT 的结构和工作原理
1. a-Si:H TFT的工作原理
3.TFT-LCD 的基本结构
1
1. a-Si:H TFT 的工作原理
a-Si:H 的性质
a-Si:H TFT的有源层材料是a-Si:H，它是一种典型的非晶态半导体材料，从
而决定了TFT的某些性质不同于MOSFET 。
(a) (b)
晶态和非晶态硅中缺陷示意图
(a)为晶体；(b)非晶体
2
1. a-Si:H TFT 的工作原理
a-Si:H TFT的工作原理
有源层是a-Si:H，属弱n型非晶半导体材料 。
当栅极加正电压，表面形成电子的累积，源漏加电压后，形
成导电沟道。
类似于MOS 的电容。
金属
绝缘层
半导体
欧姆接触
MIS结构
简化的底栅型a-Si TFT的结构
3
1. a-Si:H TFT 的工作原理
a-Si:H TFT的能带图
随栅极电压VGS而变化，基本上可分为积累、耗尽、反型
三种情况
表面出现电子的积累而带负电
E E
c c
qvB Ef Ef
Ei Ei
qVGS qvs
E E
v v
(a) (b)
（a ）平带状态VGS=0 ；（b ）
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