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文章的中文标题作者1中文名，作者2中文名，作者3中文名，( （电子科技大学　电子工程学院；四川成都 611731） （空格） 【摘要】中文摘要(200个中文字以上) 。中文关键词1; 中文关键词2; 中文关键词3; 中文关键词4; 中文关键词4(4～7个) 文章的英文标题作者1英文名, 作者2英文名, and作者英文名(Times New Roman姓在前名在后，姓全部大写 (School of Electronic Engineering, UESTC, Chengdu, China 611731) （空格） Abstract 英文摘要Key words 英文关键词1;英文关键词2; 英文关键词3; 英文关键词4; 英文关键词5(与中文关键词相对应引言部分(中文：5号宋体，英文：Times New Roman) 1 一级标题(4号黑体) 正文部分(中文：5号宋体，英文：Times New Roman) 2 一级标题(4号黑体) 2.1 二级标题(5号黑体) 正文部分(中文：5号宋体，英文：Times New Roman) 2.2 二级标题(5号黑体) 正文部分(中文：5号宋体，英文：Times New Roman) 3 一级标题(4号黑体) 3.1 二级标题(5号黑体) 正文部分(中文：5号宋体，英文：Times New Roman) 3.2 二级标题(5号黑体) 正文部分(中文：5号宋体，英文：Times New Roman) 3. 二级标题(5号黑体) 正文部分(中文：5号宋体，英文：Times New Roman) 4 一级标题(4号黑体) .1 二级标题(5号黑体) 正文部分(中文：5号宋体，英文：Times New Roman).2 二级标题(5号黑体) 正文部分(中文：5号宋体，英文：Times New Roman) 结 论或结 束 语(4号黑体) 正文部分(中文：5号宋体，英文：Times New Roman)参 考 文 献(中文：5号宋体，英文：Times New Roman，10条以上) [1] SONG B S, GRAY P R. A precision curvature-compensated CMOS bandgap reference[J]. IEEE Journal of Solid-State Circuits, 1983, 18(6): 634-643. [2] AVOINNE C, RASHID T, CHOWDHURY V, et al. Second-order compensated bandgap reference with convex correction[J]. Electronic Letters, 2005, 41(5): 276-277. [3] KER Ming-dou, CHEN Jung-sheng, CHU Ching-yun. New curvature-compensation technique for CMOS bandgap reference with sub-1-V operation[C]//The 2005 IEEE International Symposium on Circuits and Systems. Newyork: IEEE, 2005, 4: 3861-3864. [4] 秦波, 贾晨等. 1 V电源非线性补偿的高温度稳定性电压带隙基准源[J]. 半导体学报, 2006, 27(11): 2035-2039. QIN Bo, JIA Cheng, CHEN Zhi-liang. A 1 V MNC bandgap reference with high temperature stability[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(11): 2035-2039. [5] 姜韬, 杨华中. 多点曲率补偿的带隙基准电压源设计方法[J]. 半导体学报, 2007, 28(4): 490-495. JIANG Tao, YANG Hua-zhong. Bandgap reference design by means of multiple point curvature compensation[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 28(4): 490-495. [6] LEUNQ C Y, LEUNQ K N, MOK P K T. Design of a 1.5-V high-order curvature-compensated CMO