光电子学-6-第六章I.pptVIP

电子科技大学通信与信息工程学院 1873年，英国的Smith和May发现，当光照射到用作电阻的硒（Se）棒后，其电阻值约改变30％。 同年Simens将铂金绕在这种硒棒上，制成了第一个光电池。 1887年，德国的赫兹在证明电磁波的实验时，发现两个锌质小球之一用紫外线照射，则两个小球之间就非常容易产生电火花。 1888年，德国的霍耳瓦克斯证明光照射到金属表面上会引起电子发射； 1909年，Richtmeyer发现，封入真空中的Na光电阴极所发射的电子总数与照射的光子数成正比，奠定了光电管的基础； 接着美国的Zworkyn研制出各种光电阴极材料，并制造出了光电倍增管，并于1933年发明了光电摄像管； 1950年，美国的Weimer等人研制出光导摄像管； 1970年，Boyle等人发明了CCD（电荷耦合器件）。 根据电磁波对材料的影响 根据电磁波对材料的影响 根据电磁波对材料的影响 6.2 光电探测器 第六章 光电探测技术 6-2-2. 典型光电探测器 雪崩光电二极管的G与外加偏压有关，它随偏压的增大而增大。这个特性使雪崩管可提供适当的动态范围。当进入雪崩管的光功率较大时，可适当降低偏压使增益系数G 减小。 增益G还与入射光波长?有关，不同的?，G-V关系的曲线不同。 电流增益系数G也与温度有关。同一偏压下，不同的温度有不同的G。温度上升，G下降，使输出电流变化。 6.2 光电探测器 第六章 光电探测技术 功率信噪比 6-2-2. 典型光电探测器 (6-30) 噪声等效功率 (6-31) 6.2 光电探测器 第六章 光电探测技术 6-2-2. 典型光电探测器 雪崩光电二极管的优点： 具有内部电流增益，灵敏度高 响应速度快，工作频率范围宽 频率响应很高，带宽可达100 GHz。是目前响应最快的一种光敏二极管。适用于光纤通信、激光测距及其他微弱光的探测等。 雪崩光电二极管必须选用高纯度、高电阻率、高均匀性的硅单晶或锗单晶制备。工作时反偏电压高达几百伏，耗尽区雪崩电场强度大于105 V/cm。 6.2 光电探测器 第六章 光电探测技术 6-2-3. 部分光电探测器性能比较与应用选择 接收光信号的方式 各种光子探测器件的性能比较 应用选择 6.2 光电探测器 第六章 光电探测技术 6-2-3. 部分光电探测器性能比较与应用选择 接收光信号的方式-1 判断信号的有无 如光电开关、光电报警等。这类光电系统检测由被测对象造成的透射到光电器件上的光信号的通过或者截断。 这时不关心光电器件的线性，而是关注其灵敏度。 6.2 光电探测器 第六章 光电探测技术 6-2-3. 部分光电探测器性能比较与应用选择 ②系统中的光信号按一定调制频率交替变化 这种光电系统中的光强度信号被调制在一定的频带内或某一调制频率下。 所选光电器件的截止频率＞光信号的调制频率。 接收光信号的方式-2 6.2 光电探测器 第六章 光电探测技术 6-2-3. 部分光电探测器性能比较与应用选择 ③检测光信号的幅度大小 被测对象本身光辐射的强度发生变化； 被测对象因对光的反射率、透过率发生变化； 光电器件接收到的光照度亦随之变化。 为准确检测出这种变化，选择器件需注意： 灵敏度适当、线性好、响应快、动态范围合适。 如光敏二极管、光电倍增管。 接收光信号的方式-3 6.2 光电探测器 第六章 光电探测技术 6-2-3. 部分光电探测器性能比较与应用选择 ④检测光信号的色度差异 被测对象造成光电器件接受到的色温发生变化； 被测对象本身的表面颜色发生变化。 选择光谱特性合适的光电器件。 接收光信号的方式-4 6.2 光电探测器 第六章 光电探测技术 6-2-3. 部分光电探测器性能比较与应用选择 各种光电探测器性能比较-1 ①在时间响应和频率特性，即动态特性方面： 光电倍增管和光敏二极管较好； PIN光敏二极管和雪崩光敏二极管最好。 光电特性方面： 光电倍增管、光敏二极管和光电池的线性都较好。 6.2 光电探测器 第六章 光电探测技术 6-2-2. 典型光电探测器 灵敏度方面： 光电倍增管、雪崩光敏二极管最好，光敏电阻和光敏晶体管较好。 【补充说明】 灵敏度高不一定就是输出电流大。输出电流大的器件有大面积光电池、光敏电阻、雪崩光敏二极管和光敏晶体管。 各种光电探测器性能比较-2 6.2 光电探测器 第六章 光电探测技术 6-2-2. 典型光电探测器 ④外加偏压： 外加偏压最低的是光敏二极管和光敏晶体管，光电池不需加电源便可工作； ⑤暗电流： 光电倍增管和光敏二极管最小，光电池不加电源时无暗电流，加反向偏压后暗电流比光电倍增管和光敏二极管