多晶硅吸杂效能的研究.pdfVIP

第 卷 第 期 固体 电子学研 究与进展 , 年 月 乙 , 多晶硅吸杂效能的研 究 阂 靖 陈 一 宗祥福 旦 学 学 究 , 海 , 复 大 材料科 研 所 上 李积和 姚保纲 陈青松 周志美 上海硅材料 厂 , 上海松江 , 一 一 收稿 , 一 一 收改稿 提 要 用透 射 电镜 、 扫描 电镜 和 光 学 显微镜研 究 了淀积在单 晶衬底 上 的多 晶硅层 的吸杂 能力 。 研 究显示 多 晶硅还存在两种 吸杂 的效能 一是能增 强 内吸杂 二是 即使多 晶硅在工艺 。 , 生 和 吸 流程 中耗尽 在衬底 中产 的层错 位错会继续起着 杂作用 关键词 多 晶硅吸杂 增 强吸杂 氧沉淀 洁净层 中图分类号 , , , 卿 , 幻 , , 引 言 吸杂是减少硅 片 中金属 杂质沾污 的一种行之有效 的方法 。 所谓 吸杂就是把金属 杂质从器 。 区吸收到 预 吸 心 晶硅 吸 又 增 强 吸 , 在 晶硅 件 的有源 定 的 杂 中 多 杂