附录七 半导体器件型号的命名方法 一．国产半导体器件型号命名 1 .DOC

附录七 半导体器件型号的命名方法 一．国产半导体器件型号命名 型号由五个部分组成 第一部分；用阿拉伯数字表示器件的电极数目 第二部分；用汉语拼音字母表示器件的材料和极性 第三部分；用汉语拼音字母表示器件的类型 第四部分；用阿拉伯数字表示序号 第五部分；用汉语拼音字母表示规格号 注：场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三。四、五部分。 组成部分的符号及其意义如下表： 表 1 国产半导体器件命名 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五 部分 用数字表示的电极数目 用汉语拼音字母表示器件的材料和极性 用汉语拼音字母表示器件类型 用数字表示器件序号 用汉语拼音字母表示格号 符 号 意义 符 号 意 义 符 号 意 义 符 号 意 义 2 3 二极管 三极管 A B C D A B C D E N型，锗材料 P型，锗材料 N型，硅材料 P型，硅材料 PNP型，锗材料 NPN型，锗材料 PNP型，硅材料 NPN型，硅材料 化合物材料 P V W C Z L S N U K X G 普通管 微波管 稳压管 参量管 整流管 整流堆 隧道管 阻尼管 光点管 开关管 低频小功率管 f＜3MHz，Pc＜1W 高频率小功率 f＜3MHz，Pc＜1W D A T Y B J CS BT FH PIN JG 低频率大功率管 f＜3MHz，Pc＞1W 高频率大功率 f＜3MHz，Pc＞1W 半导体闸流管 （可控整流管） 体效应器件 雪崩管 阶跃恢复管 场效应器件 半导体特殊器件 复合管 PIN管 激光管 二．常用进口半导体器件型号命名 表 2 进口半导体器件命名 国别 一 二 三 四 五 备注 日本 2 S A．PNP高频 B．PNP低频 C．NPN高频 D．NPN低频 两位以上 数字表示 登记序号 A．B．C表示对原型号的改进 不表示硅锗材料及功率大小 美国 2 N 多位数字表示 登记序号 不表示硅锗材料NPN或PNP及功率的大小及功率大小 欧洲 A锗 B硅 C－低频小功率 D－低频大功率 F－高频小功率 L－高频大功率 S－小功率开关 U－大功率开关 三位数字表示 登记序号 B参数分 档标志 表 3 韩国三星电子三极管特性 型号 极性 功 率（mW） fT（MHz） 用途 9011 NPN 400 150 高速 9012 PNP 625 80 功放 9013 NPN 625 80 功放 9014 NPN 450 150 低放 9015 PNP 450 140 低放 9016 NPN 400 600 超高频 9018 NPN 400 600 超高频 8050 NPN 1W 100 功放 8550 PNP 1W 100 功放