高压SOI PLDMOS的寄生双沟道特性分析及其改进结构 - 电子器件.PDF

第 32 卷 　第 1 期 电 子 器 件 Vol . 32 　N o . 1 2009 年 2 月 　　　 Chinese J our nal Of Elect r on Devices 　　 Feb . 2009 Analysis of the Parasitic DoubleChannel Effect of SOI PLDMOS and a Novel Structure WA N G J i ngl i n , QI A N Qi ns ong , S UN Weif eng ( ) N at ional A S I C S y s tem Eng i neeri ng R esearch Center , S out heas t Uni vers ity , N anj i ng 2 10096 , Chi na Abstract :A p ara sitic do ublechannel eff ect generat e s in high power SO I PLDMO S i s analyzed and a novel device st r uct ure i s al so develop ed . Accor ding to t he op timizatio n of t he p ropo sed st r uct ure , t he break dow n volt age an d t he st abilit y i s availably imp roved due to t he elimination of t he p ara sitic effect . The break dow n volt age an d t he elect ric field di st ributin g ver su s t he device st r uct ure i s re searched by a t wo dimen sional de vice simulator , an d t he re sult s show t hat t he break dow n volt age i s imp roved to 2 13 V co mp arin g to t he 109 V in co nventio nal st r uct ure , and t he device charact eri stics i s imp roved . Key words :SO I ; PLDMO S ;p ara sitic effect ;doublechannel ;break dow n volt age EEACC :2570 高压 SOI PLDMOS 的寄生双沟道特性分析及其改进结构 王靖琳 ,钱钦松 ,孙伟锋 (东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心 ,南京 2 10096) 摘 　要 :分析了存在于高压 SO I PLDMO S 器件中的寄生双沟道效应的产生机理 ,并提出了改进型的新结构 。该结构有效地 抑制了 SO I PLDMO S 器件的寄生双沟道效应 ,不但显著提高了器件的击穿电压 , 同时还改善了器件可靠性 。借助二维器件仿 真分析了器件耐压与电场分布和器件结构的关系 。模拟结果表明 ,该结构使器件耐压由传统结构的 109 V 提高到 2 13 V ,突 破了传统 SO I PLDMO S 器件的耐压值 ,明显地改善了器件特性 。 关键词 :SO I PLDMO S ;寄生效应 ;双沟道 ;击穿电压 中图分类号 :TN