10光电器件.PPTVIP

第10章 ??光电式传感器 10.2 光电器件 （3）光敏电阻——基本特性 温度特性 温度变化影响光敏电阻的灵敏度、暗电流和光谱响应。 硫化铅光敏电阻温度特性 第10章 ??光电式传感器 10.2 光电器件  (4) 光敏二极管和光敏三极管 光敏晶体管工作原理主要基于光生伏特效应。 特点：响应速度快、频率响应好、灵敏度高、 可靠性高; 广泛应用于可见光和远红外探测，以及自动控制、自动报警、自动计数等领域和装置。 第10章 ??光电式传感器 10.2 光电器件  (4) 光敏二极管和光敏三极 ①光敏二极管 光敏二极管结构与一般二极管相似，它们都有一个P－N结，并且都是单向导电的非线性元件。为了提高转换效率大面积受光，PN结面积比一般二极管大。 硅光敏二极管结构 第10章 ??光电式传感器 工作原理： 光敏二极管在电路中一般处于反向偏置状态， 无光照时，反向电阻很大， 反向电流很小； 有光照时，PN结处产生光生 电子空穴对； 在电场作用下形成光电流， 光照越强光电流越大； 光电流方向与反向电流一致。 10.2 光电器件  (4) 光敏二极管和光敏三极管 光敏二极管基本电路 第10章 ??光电式传感器 与普通晶体管不同的是，光敏晶体管是将基极—集电极结作为光敏二极管，集电结做受光结，另外发射极的尺寸做的很大，以扩大光照面积。 大多数光敏晶体管的基极无引线，集电结加反偏。玻璃封装上有个小孔，让光照射到基区。 10.2 光电器件  (4) 光敏二极管和光敏三极管 ②光敏三极管 光敏晶极管结构 ??? 第10章 ??光电式传感器 硅（Si）光敏晶体极管一般都是NPN结构，光照射在集电结的基区，产生电子、空穴，光生电子被拉向集电极，基区留下正电荷（空穴），使基极与发射极之间的电压升高，这样，发射极便有大量电子经基极流向集电极，形成三极管输出电流，使晶体管具有电流增益。在负载电阻RL上的输出电压为： 10.2 光电器件  (4) 光敏二极管和光敏三极管 ②光敏三极管 ——晶体管电流放大系数 第10章 ??光电式传感器 光敏晶体管的光谱特性 硅材料的光敏管峰值波长在0.9μm附近（可见光） 灵敏度最大； 可见光或探测赤热状 物体时一般都用硅管 锗管的峰值波长约为 1.5μm（红外光） 对红外进行探测时用 锗管较适宜。 10.2 光电器件  (4) 光敏二极管和光敏三极管特性： 光敏晶体管光谱特性 第10章 ??光电式传感器 光谱特性 硅光敏二极管：当入射波长＞900nm时，响应下降，因波长长， 光子能量小于禁带宽度，不产生电子——空穴对； 当入射波长＜900nm时，响应也逐渐下降，波长短 的光穿透深度小，使光电流减小。 10.2 光电器件 (4) 光敏二极管和光敏三极管 硅光敏二极管光谱响应 光敏晶极管光谱响应 第10章 ??光电式传感器 光敏二极管伏—安特性 伏安特性 光敏二极管：当反向偏压较低时，光电流随电压变化比较敏感，随反向偏压的加大，光生电流趋于饱和，这时光生电流与所加偏压几乎无关，只取决于光照强度。 10.2 光电器件  (4) 光敏二极管和光敏三极管 第10章 ??光电式传感器 光敏晶体管具有放大作用，伏安特性曲线 如图所示 10.2 光电器件  (4) 光敏二极管和光敏三极管 光敏晶体管等效电路 光敏晶体管伏安特性 第10章 ??光电式传感器 温度特性 由于反向饱和电流与温度密切有关，因此光敏二极管的暗电流对温度变化很敏感。 10.2 光电器件  (4) 光敏二极管和光敏三极管 光敏二极管暗电流与温度关系 第10章 ??光电式传感器 频率响应: 光敏管的频率响应是指光敏管输出的光电流随频率的变化关系。光敏管的频响与本身的物理结构、工作状态、负载以及入射光波长等因素有关。图光敏二极管频率响应曲线说明调制频率高于1000Hz时，硅光敏晶体管灵敏度急剧下降。 光敏二极管频率响应曲线 10.2 光电器件  (4) 光敏二极管和光敏三极管 第10章 ??光电式传感器 光电池工作原理也是基于光生伏特效应，可以直接将光能转换成电能的器件。有光线作用时就是电源，广泛用于宇航电源，另一类用于检测和自动控制等。 光电池种类很多，有硒光电池、锗光电池、硅光电池、砷化镓、氧化铜等等。 10.2 光电器件  (5) 光电池（有源器件） 光 电 池 符 号 第10章 ??光电式传感器