9PN结的击穿.PPTVIP

* §2-5 PN 结的击穿 雪崩击穿 什么叫PN结的击穿？ 击穿机理： 电击穿 隧道击穿 热击穿 2.5.1雪崩击穿 反向电压↑ 1）碰撞电离 电子（或空穴）在两次碰撞之间从电场获得的能量为： 可使被碰撞的价带电子跃迁到导带，从而产生一对新的电子空穴对，这就是 碰撞电离。 碰撞电离引起了雪崩倍增效应。 2）碰撞电离率： 式中，A、B、m 为经验常数。 与电场强烈有关，可用如下经验公式近似表示： 一个自由电子（或空穴）在单位距离内通过碰撞电离而产生的新的电子空穴对的数目称为电子（或空穴）的 碰撞电离率，记为： 。 3）雪崩倍增因子 定义：包括雪崩倍增作用在内的总电流与进入耗尽区的原始电流之比，称为 雪崩倍增因子，记为 M 。 M 4) 与 的 关系 同理，由于电子的碰撞电离在dx距离内新增的空穴数目为： 单位时间内流过 x 面上单位面积的空穴数目为: 由于这些空穴的碰撞电离而在dx距离内新增的空穴数目为： n M 4) 与 的 关系 p dx距离内总的新增空穴数目为: 则在 dx 距离内新增的空穴电流为： 将上式从 x = 0 到 x 积分，得： 类似可得： 为简便起见，假设 ， 上式中， 称为 电离率积分。 当 ，总电流就是原始电流，表示无雪崩倍增效应。 随着反向电压 即发生雪崩击穿。 由此可得发生 雪崩击穿 的条件是: 由于 随 的变化很尖锐， 5）雪崩击穿电压 实际计算击穿电压VB 时，常采用如下近似方法。 故对积分起主要作用的只是 电场峰值附近的很小一部分区域。在这个区域内 几乎不变，因此可以近似认为，当 达到某一 临界电场 时，即可满足击穿条件 ，从而发生雪崩击穿。 对于突变结： 已知： 由上式可见，禁带宽度EG 越大，则击穿电压VB 越高。约化杂质浓度N0 越低，VB 越高。对于单边突变结， N0 就是低掺杂一侧的杂质浓度，因此 击穿电压也是取决于低掺杂一侧，该侧的杂质浓度越低，VB 越高。 对于线性缓变结： 由上式可见，禁带宽度EG 越大，则击穿电压VB 越高。浓度梯度越小， VB 越高。 结面为一平面，即平面结　 　 平行平面结 结面与材料表面相平行 低掺杂中性区的厚度足够厚 如果不满足这些条件，PN结的雪崩击穿电压将发生怎样的变化？ 6）结的结构对VB 的影响 只有满足以下条件的 PN 结，才能使用以上公式与曲线来计算击穿电压 VB ： 结面为一平面，即平面结　 　 平行平面结 结面与材料表面相平行 低掺杂中性区的厚度足够厚 然而实际上绝大多数 PN 结并不满足这些条件 ，这就必须对计算击穿电压的公式加以修正。 （1）低掺杂区厚度的影响 对于同样的 ，当N 区足够厚时，即 时， 但是当 时，击穿电压变为： N+ N P+ xdB W 0 x W W 可见，VB’ VB ,　且W↓，则VB’ ↓，W→0 时， VB’ →0 。 N+ N P+ xdB W 0 x W W 当低掺杂浓度区的厚度小于空间电荷区在该区的展宽时，雪崩击穿电压随厚度的增加而增加。 （2） 结面曲率半径的影响 由扩散工艺形成的PN 结，在结面 的四周和四角会形成柱面与球面。 结深 xj 越小，曲率半径就越小，电场就越集中，击穿电压VB 也就越低，且多发生在表面而不是体内。 （2） 结面曲率半径的影响