应用于半导体制造的z-pinch 等离子体euv 光源 - 中国电机工程学会.pdf

中国电机工程学会高压专委会2007 年学术年会论文集 应用于半导体制造的Z-PINCH 等离子体EUV 光源 1 1 2 3 吕鹏 张潮海 程元丽 H.Akiyama 1 哈尔滨工业大学电气工程学院 2 哈尔滨工业大学可调谐激光国家 级重点实验室 3 Kumamoto University, Japan 摘要:等离子体极紫外 （EUV ）光源被公认为是最有前途的EUV 光源，针对它的研究已经在全世界范围内展 开了激烈的竞争。在实现极紫外光刻 （EUVL ）技术的过程中，应予以最优先考虑的问题是如何提高EUV 光 的输出功率。在Z 箍缩等离子体EUV 光源的发展过程中，氙气已被用作是诱发等离子体的目标靶。利用幅值 为30kA，脉宽为100ns 的脉冲电流来箍缩等离子体。利用针孔成像 EUV 摄谱仪和EUV 波段能量监测器来观 测分析从Z 箍缩等离子体发射出的EUV 光。为了提高从输入电气能量到EUV 光辐射能量的转化效率，同时 利用固态锡棒作为诱发等离子体放电的目标靶。实验分析证明转化效率高达1.5%。 关键字:极紫外光光源；Z 箍缩；氙气发射；锡等离子；光刻技术 目标靶后，光源具有很高的转化效率，因此 1 引言 使用锡作为目标靶材料。在Z箍缩等离子体 近几十年内，传统的光学投影光刻技术 EUV光源的发展过程中，氙气已被用作是诱 已经成为集成电路制造过程中广泛应用的光 发等离子体的目标靶。利用针孔成像EUV摄 刻技术。目前，半导体器件的特征线宽可达 谱仪和EUV波段能量监测仪来观测Z箍缩等 90nm，传统的光学光刻技术的发展已接近极 离子体发射出的EUV光。为了提高光源转化 限。而波长范围在10到14nm的EUV光刻技术 效率，同时使用固态锡棒作为目标靶。实验 可使未来集成电路的特征尺寸在2010左右达 分析证明转换效率高达1.5%。 到45nm 以下，因此成为下一代光刻技术中强 2EUV光源实验装置的建立 有力的竞争者。传统的光学光刻技术运行在 常规环境下，利用一种金属框架的薄膜镜来 如图 1 所示是Z 箍缩等离子体EUV 光 防止光刻系统焦平面被污染。而EUV光刻技 源装置的原理图。氙气或氦气作为诱发等离 术从根本上区别于传统的光学光刻技术。 子体的工作气体，连续不断的流过放电管（直 EUV光的辐射可以被任何物质所吸收，光刻 径3mm，长 5mm）。初始电容为42nF 的电 必须在真空环境下运行。并且光掩模在曝光 容器均匀地放置于毛细放电管通道的轴线 过程中不需保护，因而不需要这种可能会吸 上，提供幅值为35kV 的电压。通过对EUV 收掉EUV辐射的半透明薄膜镜的存在。 光强度和针孔图像的实时测量来描述Z 箍缩 目前，针对未来13.5nm或更短波长的光 等离子体辐射出的 EUV 光。为了在较高的 刻技术，光源方面的研究主要集中在氙离子 转化效率下达到所需的光源特性，我们已经 或锂等离子所辐射出的EUV光。在目前纵多 优化了Z 箍缩装置的设计参数和脉冲电源装 的EUV光源中，脉冲放电等离子体EUV光源 置的电气参数 （电压，电容和电感）。值得注 是最有前途的EUV光源。但是在DDP EUV光 意的是，EUV 光的最大辐射强度对氙气的流 源中，热负荷效应和电极腐蚀仍然