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第 26 卷 第 2 期 半 导 体 学 报 Vol. 26 No. 2
2005 年 2 月 CHIN ESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS Feb. ,2005
InP 基多周期 InAs/ InAl GaAs 量子点阵列
的结构和光学性质
黄秀颀 刘峰奇 车晓玲 刘俊岐 雷 文 王占国
( 中国科学院半导体研究所 半导体材料科学重点实验室, 北京 100083)
摘要 : 在 InP (001) 衬底上使用分子束外延技术自组织生长了多周期 InAs/ InAl GaAs 量子点阵列结构. 根据对透射
电镜和光致发光谱结果的分析,认为引入与 InP 衬底晶格匹配的 InAl GaAs 缓冲层可以获得较大的 InAs 量子点结
构 ,而 InAl GaAs 层的表面特性对 InAs 量子点的结构及光学性质有很大影响. 对 InP 基 InAl GaAs 缓冲层上自组织
量子点的形核和演化机制进行了探讨 ,提出量子点的演化过程表现为量子点的合并长大并伴随着自身的徙动 , 以
获得能量最优的分布状态.
关键词 : 量子点 ; 分子束外延 ; InAl GaAs 缓冲层
PACC : 7360F ; 6855 ; 7865
中图分类号: TN304054 文献标识码 : A 文章编号 : (2005)
的形成和演化机制方面的研究报道就更少. 另外 ,虽
1 引言 然到目前为止已经有一些使用 InP , InAlAs , In GaAs
和 In GaAsP 等化合物作为缓冲层 ,在 InP 衬底上生
近年来 , 由于理论预言利用量子点作为有源区 长 InAs 量子点的研究[7～9 ] ,但在 InAl GaAs 缓冲层
的半导体激光器将具有极低的阈值电流、极高的特 上生长 InAs 量子点的研究仍然很少.
征温度、高的微分增益和极窄的谱线宽度[1 ] , 因此 , ( )
本文 ,我们利用分子束外延设备 MBE 生长了
利用 StranskiKrastanov 模型生长的自组织半导体 与 InP 衬底晶格匹配的多周期 InAs/ InAl GaAs 量子
( ) ( ) ( )
量子点 QDs 一直是研究的热点 ,并且已经取得了 点阵列 ,使用透射电镜 TEM 和光致发光谱 PL 对
很大成功. 然而 , 时至今日 ,对应变自组织量子点的 样品的结构特性和光学性质进行了研究 ,并对 InP
研究无论在理论上还是在实验上都依旧存在很多问 基 InAl GaAs 缓冲层上自组织量子点在生长过程中
题 ,还没有一个完善的理论来解释自组织量子点的 的形核和演化机制进行了探讨.
形成机制 ,因而人们尚无法在纳米尺度上精确地控
制量子点的尺寸和均匀性. 这也是半导体量子点激 2 实验
光器的性能远没有达到理论预言水平的原因.
大多数关于 QDs 的研究都是基于 In ( Ga) As/ 本文所研究的样品是使用固源 Riber 32P MBE
GaAs 体系[2 ,3 ] . 与 InAs/ GaAs
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