2010中国科技大学退火处理对ZnOSi异质结光电转换特性的影响.pdf

( ) ·14 · 材料导报 :研究篇 　 　20 10 年 2 月 下 第 24 卷第 2 期 退火处理对 ZnO/ Si 异质结光电转换特性的影响 1 ,2 1 1 1 2 张伟英 ,刘振中 ,刘照军 ,梁会琴 ,傅竹西 ( 1 　洛阳师范学院物理与电子信息学院 ,洛阳 47 1022 ;2 　中国科学技术大学物理系 ,合肥 230026) 摘要 　　采用直流反应溅射方法在 p 型 Si ( 100) 衬底上生长掺 Al 的 ZnO 薄膜 ,并研究退火处理对 ZnO 薄膜性 质的影响 。XRD 测量结果表明 ,ZnO 薄膜为六方纤锌矿结构 ,退火后薄膜的晶粒长大 , 晶界减少 ;暗态 IV 特性曲线 表明 ,ZnO/ Si 异质结具有明显的整流特性 ,退火后由于晶粒间界减少和空位浓度降低使反向漏电流降低 1 个量级 ; 此外 ,退火处理能在一定程度上改善异质结的光伏效应 ,使其转换效率提高 。 关键词 　　退火 　异质结 　光电转换 Infl uence of Anneal ing Treat ment on Photovoltaic Property of ZnO/ Si Heteroj unction Z HAN G Weiying1 ,2 , L IU Zhenzhong1 , L IU Zhaoj un1 , L IAN G Huiqin1 , FU Zhuxi2 ( 1 　College of Phy sics and Elect ronic Information , L uoyang Normal College , L uoyang 47 1022 ;2 　Dep art ment of Physics , U niver sit y of Science and Technolo gy of China , Hefei 230026) Abstract 　　ZnO film s dop ed wit h Al i s p rep ared on p t yp e Si ( 100) sub st rat es by DC reactive sp utt ering . Influe nce of annealing t reat ment on p hotovolt aic p rop ert y of ZnO/ Si het eroj unction i s investigat ed . XRD result s demon st rat e t hat t he ZnO film s ha s hexagnal wurtzit e st ruct ure wit h st rong c axi s orient ation , and cry st al grain becomes lar ger by annealing . IV charact eri stics suggest t hat het eroj unction show app arently rectifying behavior , and rever se leak cur rent reduces one or der of magnit ude by annealing . It i s wort hy to emp ha size t hat t he p hotovolt aic convertion efficient i s