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MDC0531E-美格纳-美国韩国.pdf
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D
C
0
MDC0531E
5
3
Common-Drain N-Channel Trench MOSFET 30V, 8.0 A, 20mΩ 1
E
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General Description Features o
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TheMDC0531EusesadvancedMagnaChip’sMOSFET VDS=30V m
Technology,whichprovideslowonstateresistance,high I =8.0A @V =10V o
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