A位掺杂Bi4Ti3O12薄膜的制备及铁电性能研究.pdf

Vol.46 No.12 第 46 卷 第 12 期 中 国 陶 瓷 中 国 陶 瓷 中 国 陶 瓷 2010年 第 12 期 Dec.2010 2007年 第 1 期 2010年 12 月 研究与开发 文章编号：1001-9642（2010）12-00012-03 A位掺杂 Bi Ti O 薄膜的制备及铁电性能研究 4 3 12 1 1 1 2 郭淑兰 ，王 敏 ，徐学东 ，李 佳 (1长春工程学院 机电学院， 长春 130000; 2宁波材料研究所， 宁波 315000) 【摘 要】采用溶胶－凝胶法制A位掺杂 BiTi O (BTO) 时间 30s, 每甩一层膜后先在 300℃保温 5min, 然后升 4 3 12 的 铁 电 薄 膜 Bi La Ti O （BLT）、Bi Nd Ti O （BNT） 温到 400℃保温 10min, 进行溶剂的挥发和有机物的分 3.25 0.75 3 12 3.15 0.85 3 12 及 Bi (La Nd ) Ti O （BLNT）；XRD 结果表明制备的薄 解 , 之后随炉冷却。这样重复 5 层。最后于 750℃下退火 3.15 0.5 0.5 0.85 3 12 膜具有 (117) 和 (00l) 的 混合取向；在 10V 电压下，BLT、 30min, 在氧气气氛中进行 , 氧气流量为 1L/min。薄膜 BLNT 和 BNT 薄膜的 Pr 分别为 13.14μC/cm2 、20.65μC/cm2 制备完成后 , 为测试其电学性能 , 用磁控溅射方法制作 2 和 21.23μC/cm ；FE-SEM 显示 BNT 薄膜表面光滑致密 , 颗 -3 2 Pt上电极阵列 ,电极的面积为 3.85×10 cm 。 粒均匀，薄膜厚度约为300nm。 2 结果及讨论 【关键词】溶胶- 凝胶，铁电薄膜，极化值 中图分类号:TM22+1 文献标识码 :A 2.1薄膜的相组成 图 1 为不同比例的 La、Nd 共掺杂的 BTO 薄膜 引 言