IGBT及其驱动和保护电路的研究杨柏松.pdf

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2017-07-19 发布于浙江
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IGBT及其驱动和保护电路的研究杨柏松

16 　1 Vol.16　No.1 2006 2 JOURNAL OF MAOMING COLLEGE February .2006 :1671-6590(2006)01-0040-04 IGB 杨柏松, 罗如山 (, 525000) 　:　优越的性能使IGB 成为大中电力电子装置首选的功率器件, 驱动与保电路是电路设计中的难点和关键。该文介绍了IGB 的研发新进展, 研究了IGB 栅极驱动和保电路的设计思想, 并给出了以EXB840 为驱动器的实用电路。研究表明, 这种混合驱动集成电路对可靠保 IGB 很有益处。 :　IGB ;栅极驱动;保电路 :M321　　　　　　　:A 　　 1 　IGB 及其研发进展 1.1　IGB IGB (Insulated Gate Bipolar ransistor), MOSFE , + P , , 、MOSFE 。。、, ;, , , [ 1] , , , 。 IGB 、。, , PNP , PNP (IGB )。, IGB , 。 1.2 　IGB 　　IGB 。 1　() IGB 80 , 80 、 UCE(sat) tf 90 。, IGB 1 30V 0.50μm , IGB , 2 28V 0.30μm 2.5 24V 0.25μm , 。IGB 3 20V 0.25μm :①1μm 。 4 15V 0.25μm UCE(sat)50%, tf 60%。1[2]30 UCE(sat )tf 。②IGB , 。, IGB :2005-11-25;:2005-12-08 　:(1970-), , , , , . 1 　　　　　　　　　　:IGB 41 , 。③, 。 Si [2]31 。 1.3 　IGB , IGB 、、、、, 1μm , : 1)U-IGB 　U()-IGB , 。 , , , , 。 2)NP -IGB 　NP ()-IGB , 、 , 、、。 3)超快速IGB 　IR IGB , , IGB , 2000ns。 4)低功率IGB 　IGB 600V 、1kA、1kHz 。, IGB , 、、、、。 5)IGB 功率模块　IGB IC 、、IGB , PIM IPM、PEBB、IPEM。PIM , 1200 ～1800A 1800 ～3300V。IPM IGB 、、(、、、) 。, 600A 2000V IPM VVVF 。、 [2]32 IGB 。 2 　IGB 的栅极驱动设计原理　　IGB , , 、, , , 。 , IGB 。IGB , , IGB ;IGB , IGB 。 IGB