大功率IGBT直流特性和动态特性的PSPICE仿真.pdf

第 30 卷第 6 期 同　济　大　学　学　报 Vol. 30 No. 6 2002 年 6 月 JOURNAL OF TON GJ I UN IV ERSITY 　J un. 2002 大功率 IGBT 直流特性和动态特性的 PSPICE 仿真 康劲松 , 陶生桂 ,王新祺 ( 同济大学沪西校区 电气工程系,上海　200331) 摘要 : 应用等效模拟的方法建立了 IGB T PSPICE 仿真的直流模型和动态模型 ,对大功率 IGB T 的直流特性和动 态特性进行了仿真分析. 模型的仿真值与器件的实际值相比 ,所有特性均较吻合 ,表明仿真模型适用于大功率 IGB T 的特性分析. 关键词 : 绝缘栅双极型晶体管 ; 特性 ; 仿真 ; 模型 ( ) 中图分类号: U 264. 3 　　　　　　文献标识码 : A 　　　　　　文章编号 : 0253 - 374X 2002 06 - 0710 - 05 PSPICE Simulation in DC and Dynamic Characteristics of High Power IGBT KA N G Jin - song , TA O S heng - gui , W A N G Xin - qi (Department of Electrical Engineering , Tongji Universit y West Campus ,Shanghai 200331 ,China) Abstract : DC and dynamic models of high power IGB T for PSPICE are presented ,DC characteristics and dy namic characteristics are simulated. Comparing simulated results with test results ,all characteristics are identi cal. So the models can be used in the simulation of high power IGB T. Key words : insulated gate bipolar transistor ; characteristics ; simulation ; model 　　电力电子技术在电工学科中非常活跃 , 由于电力电子电路的非线性时变特性和网络拓扑结构复杂性, 计算机仿真对于电力电子装置的研究、开发和应用有着重要意义. 任何商品化的电力电子仿真软件如 PSPICE 或 Saber 等都不可能包含所有的器件模型 ,尤其是新型的电力电子器件. 对于电力电子器件的建 模 ,按描述器件的简繁程度大致分三种类型 :第一类仅描述电力电子器件的开通、关断等基本外部特性 ,这 类模型包括理想开关模型和双值电阻模型 ;第二类从器件的外部特性出发 ,除了描述开通、关断等基本特 性外 ,还描述器件的开通时间、关断时间等 ,常设计一个具有该特性的集总参数电路作为模拟器件外部特 性的模型[1～4 ] ;第三类描述器件内部的详细物理机理和过程 ,推导出相应的非线性方程组 ,其对应的电路 就是器件的模型[5 ] . 本文以文献[1 ,2 ]为基础 ,应用 PSPICE 仿真软件 ,从外部特性功能模拟建立了 IGB T 的直流模型和动态模型 ,对 400 A/ 1 200 V IGB T 进行了直流特性和动态特性的仿真分析 , 旨在探索建立 新型大功率电力电子器件模型的方法. 1 　IGBT 工作原理和特性 1. 1 　工作原理