槽栅MOSFETs器件特性及其工艺技术分析.pdfVIP

摘 要 1 摘 要 深亚微米范围内的半导体器件面临着很多特性和工艺难题，改变器件结构是 问题的解决方法之一。槽栅MOSFET被认为是深亚微米范围内极具应用前景的器 件结构.本文从器件特性、工艺技术以及理论分析三方面对槽栅器件进行了分析 研究。 首先对槽栅器件的性能进行了仿真，并与平面器件进行了比较，指出其性能 上的改进主要源于凹槽结构所带来的拐角效应，因而较好地抑制了小尺寸效应， 但同时也导致了漏极驱动能力降低和寄生电容增大的问题。 其次，对槽栅器件的制备工艺进行了模拟仿真，重点是如何较好地解决杂质 元素向栅氧化层中的扩散，并针对该问题提出了若干可行的工艺方法，如改变生 长时的气体组分、改变工艺顺序等。RIE刻蚀是槽栅器件制备中的关键工艺步 骤，通过测量RIE刻蚀后Si/SiO2系统的高频和准静态C-V曲线，分析研究了 RIE刻蚀对Si/Si02界面特性的影响。 论文最后针对槽栅 PMOSFET，对其闽值电压的解析模型进行了简单推导， 并将理论值与模拟值进行了比较，分析了误差产生的原因。 关键词:槽栅 MOSFET拐角效应 RIE 阐值电压 解析模型 Abstract Abstract Asadvancingintothedeep-sub-micrometerregime,semiconductordevicesface manydifficultiesincharacteristicandtechnology.Oneofthesolutionstothese problemsistochangethesturctureofthedevices.ThegroovedgateMOSFEThasbeen regardedasapromisingdeviceintheregimeanditisinvestigatedindevice characteristic,technologyandtheoreticalcalculation,respectivelyinthisthesis. First,thecharacteristicsofthegroovedgateMOSFETsarestudiedandtheir simulatedperformanceiscomparedwiththatofconventionalplanarMOSFETs.One pointrelatedtothesimulationisthattheimprovementinthecharacteristiccomesrfom theconcavecornereffectcausedbythegroove.Itisthecornereffectthatsuppresses thoseeffectsoriginatingrfomsmallsize.Butatthesametime,itdecreasesthedrain- current-drivingcapabilityandincreasestheparasiticcapacitance. Thefabricationtechnologyissimulated,theemphasisisputonthepenetrationof thedopantrfomsourceanddraintothegateinsulator,andsomepossiblewaysareput forwardsuchaschangingtheatmosphereandthesequence.RIEisakeystepinthe process,theinfluenceofreactiveionetchingontheSi/Si02interfaceisanalyzedby measuringthehighrfequencyandquasistaticC-Vcurveofthe afteretching. Atlast,asimpleanalyticalmodelofthethresholdvoltageisdeduced.The calculatedvaluesarecomparedwiththose