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局放检测内置特高频耦合器灵敏度试验探究摘要：全封闭组合电器(GIs)中发生局部放电(以下简称局放)时，会激发数百MHz至数GHz的特高频(uHF)电磁波在GIs腔体内传播。为了能更加灵敏地检测到局部放电，要求设计的内置特高频耦合器要具有较高的灵敏度。在试验室的模拟装置上，对研制的内置电极式耦合器进行试验表明，内置耦合器的灵敏度与电极的直径、GIS手孔直径和手孔深度等有很大的关系 关键词：全封闭组合电器(GIS)　局部放电　特高频　内置耦合器 全封闭组合电器GIS(Gas Insulated Substation)是重要的大型输变电设备，具有结构紧凑、安全可靠、维护简单等显著优点，在电力系统中有着广泛的使用。多年的运行经验表明，尽管GIS具有很高的运行可靠性，然而在GIS制造和运行维护中依然存在一些特殊的问题，由于其结构紧凑，内部电场强度高，sF6气体的绝缘强度对电场分布的均匀性比较敏感，因此，GIS中若存在沿面脏污、自由金属颗粒、尖端、部件松动、接触不良等微小绝缘缺陷，很容易发展成绝缘击穿的严重事故 研究表明，GIS由于绝缘故障在发生绝缘击穿之前，往往伴随有局部放电的产生，局部放电检测是检验GIS绝缘中微小局部缺陷、避免潜伏性故障的重要手段。如果GIS绝缘中存在局部缺陷，则缺陷处的电场通常会加强，而绝缘强度会降低，在工频交变电场作用下，缺陷区域会发生局部的重复电击穿。同时，局部放电的电腐蚀能够造成绝缘缺陷范围的进一步扩大，最终导致贯穿性的绝缘破坏。由此可见，局部放电是绝缘缺陷的一种表现，也是绝缘缺陷进一步扩展的原因。越能灵敏地检测微小的局部放电，越能有效地发现早期绝缘缺陷，以便采取相应的措施，以免较大运行事故的发生 因此，GIS内置特高频耦合器检测局部放电时，其灵敏度至关重要，本文针对各参数变化对内置特高频耦合器灵敏度的影响，进行了试验研究 1、试验原理 图1所示是模拟试验装置和原理图。取一段GIS简体管道(带导电管)为模拟试验装置，在导电管一端的中心处连接频谱分析仪；另一端连接匹配电阻(80Ω)，避免反射。扫频范围300MHz～1.5GHz(信号频率从300MHz变化到1.5GHz，重复扫过此频段)。扫频信号经过GIS筒体管道传播时，被内置特高频耦合器接收，输入到频谱分析仪。频谱分析仪工作在插入损耗方式，测量扫频信号经过传播和耦合路径所产生的插入损耗。插入损耗包含传播损耗和耦合损耗两部分，试验过程中不改变GIS简体管道的参数，传播损耗将固定不变，耦合损耗随内置特高频耦合器试验参数(见图2)的改变而改变，总的插入损耗越小，说明内置特高频耦合器的耦合灵敏度越高 2、试验结果和分析 试验过程中，试验用电极直径分别为150mm、100mm和60mm，手孔直径的变化范围从320mm～170mm，手孔深度为56mm和36mm，频谱仪扫频范围为0.3GHz～1.5GHz，试验得到内置特高频耦合器的插入损耗值(dB)见表1和表2： 表1手孔深度为56mm，不同手孔直径和电极直径的插入损耗值(单位：dB) 1