GaN 基APD 日盲紫外探测器读出电路设计 - 电子器件.PDF

第36卷 第5期 电 子 器 件 Vol.36摇 No.5 2013年10 月 ChineseJournal of Electron Devices Oct.2013 ROIC Design for Visible鄄Blind Ultraviolet GaN APD* WUHaifeng,ZHAI Xianzhen,LUOXiangdong* (JiangsuKey Laboratory of ASICDesign,Nantong University,Nantong Jiangsu226019,China) Abstract:Based on the operating principle of the visible鄄blind ultraviolet GaN APD(Avalanche Photodiode Diode), the characteristic of the breakdown voltage protection,dark current cancellation and the current biasing circuit and bandgap reference voltage circuit of CTIA are investigated.Designed and simulated a 1伊8 ROIC(Readout Integrated Circuit),the simulationresultsshow that ROIChascharacteristic of high voltageprotection(80 V).The circuit under 7 100 kHz provides a maximum charge storage capacity of5.6伊10 electronsfor a4 pF integration capacitance and25 滋s integration time.It爷s output voltage swing is0~2.25 V,and the structure hasa large linearity no lessthan99%. Key words:ultraviolet detectors;ROIC;linear鄄mode;APD EEACC:4250摇 摇 摇 摇 doi:10.3969/j.issn.1005-9490.2013.05.017 GaN基APD 日盲紫外探测器读出电路设计* 吴海峰,翟宪振,罗向东* (南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室,江苏 南通226019) 摘摇 要:基于GaN基 APD(雪崩二极管)日盲紫外探测器工作原理,我们设计了GaN鄄APD 日盲紫外探测器的读出电路 (ROIC)。 考虑到GaN鄄APD 日盲紫外探测器的特性,我们重点研究了80 V高压击穿保护电路、暗电流消除电路以及为CTIA 运放电路的电流偏置电路和带隙基准电路。 在此基础上,我们设计了1伊8 的电路并进行了仿真验证,读出电路耐高压不小于 7 80 V,当积分电容为4 pF,积分时间为25 滋s,时钟频率为100 kHz 的时候,电路的电荷存储能力为5.6伊10 个,输出电压摆幅 在0~2.25 V,读出电路的输出电压线性度不低于99%。 关键词:紫外探测;读出电路;线性模式;雪崩二极管 中图分类号:TN23摇 摇 摇 摇 文献标识码:A摇 摇 摇 摇 文章编号:1005-9490(2013)05-0656-06 摇 摇 紫外探测技术是继红外和激光探测技术之后发 工作特性专门设计了高压保护电路和暗电流消除电 展起来的又一军民两用的光电探测技术。 紫外探测 路。 针对二级运放专门设计了电流偏置电路、带隙基 技术最