衬底驱动MOSFET 特性分析及超低压运算放大器设计3 - Journal of.PDF

第 26 卷 　第 1 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol. 26 　No. 1 2005 年 1 月 　　 CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS 　　Jan. ,2005 衬底驱动 MOSFET 特性分析及超低压 运算放大器设计 尹 　韬 　朱樟明 　杨银堂 　郭 　磊 ( 西安电子科技大学微电子研究所 , 西安　710071) 摘要 : 讨论分析了衬底驱动 MOSFET 的工作原理、频率特性和噪声特性 ,并对其低压特性进行了分析和仿真. 基于 PMOS 衬底驱动技术 ,设计实现了超低压运算放大器. 在 08V 电源电压下,运算放大器的直流开环增益为 74dB ,相 μ 位裕度为 66°,失调电压为 940 V ,输出电压范围为 110～798mV. 关键词 : 超低压 ; 衬底驱动 ; 运算放大器 ; CMOS EEACC : 1205 ; 1220 ; 2570D ( ) 中图分类号: TN402 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 2005 实现对阈值电压大小的调整 ,因此 ,浮栅技术成为低 1 　引言 压设计的一种可选方法. 但是 ,这种技术需要制作浮 栅 ,传统工艺无法实现 ,工艺的复杂性造成了电路成 随着 CMOS 工艺的发展 , 晶体管的特征尺寸不 本的提高. 另外 ,浮栅 MOS 管输出阻抗较低 ,只能实 断减小 ,一方面促使特征频率、集成度不断提高 ,另 现低增益的电路结构[3 ] . 这些都限制了浮栅技术在 一方面使得击穿电压和可靠性不断降低 ,功耗不断 低压下的应用. 增加. 随着集成度的提高 ,功耗问题已经不只存在于 衬底驱动技术可以与现有工艺兼容 ,它将成为 可移动电子设备的设计中 ,集成电路的设计同样面 低压设计的一种很重要的方法. 国外衬底驱动技术 临着功耗和散热问题. 常规解决方法是降低工作电 多用于低压电流镜、运算放大器等方面 ,在 018～ 压 ,但是由于亚阈值导通的影响 ,标准 CMOS 工艺中 3μ m CMOS 工 艺 下 , 电 源 电 压 可 以 达 到 1 ～ 的阈值电压不会比深亚微米工艺的阈值电压有较大 15V[1 ,2 ,5 ] . 本文对衬底驱动 MOSFET 的特性进行了 的下降[1 ] ,因此电路工作电压的降低将受到阈值电 分析与仿真 ,讨论了衬底驱动技术的优缺点 ,并采用 压的限制. 衬底驱动 PMOS 差分对代替传统 PMOS 差分对实现 解决这一限制的低压设计方法主要有浮栅技术 μ 08V 超低压运算放大器设计 , 基于 TSMC 025 m 和衬底驱动技术[2 ] . 目前,浮栅 MOS 管被广泛应用 CMOS 工艺的 BSIM3V3 模型 ,采用 Hspice 对其进行 于存储器中 , 由于其阈值电压可调,也正逐渐被应用