长波长雷射二极体.PPT

化合物半導體報告雷射二極體 教師： 王 俊 凱 班級： 微 電 四 甲 組員： 任 啟 文 、 黃 冠 博 前言 目前雷射二極體已實用化，且廣泛的應用於資訊處理、光纖通訊、家電用品及精密測量上，如雷射印表機、光碟機以及光纖通訊等用途。 雷射二極體之所以應用如此廣泛，主要是它除了有一般雷射特性（如單色光、聚焦性及干涉性等）還具備了低驅動功率、高光電轉換效率、高調制頻率。 雷射二極體有很多種類， 一般以“波長”分類來區分它的應用。 雷射二極體特性 半導體雷射具有極小的體積、極輕的重量、低操作電壓、高效率、低耗能、可直接由電流輸入來調整功率大小、可供應的雷射波長多、品質穩定、操作壽命長和可相容於其他半導體元件等等優點。 雷射二極體之基本構成要素 主要有三個部分組成 (1) 幫浦(pump)：以電流注入(current injection)方式，提供能量給增益介質，電子與電洞將透過上、下電極傳輸到增益介質內，使其能達到居量反轉(population inversion)的條件。 (2)增益介質(gain medium )：活性層(active layer)可作為增益介質。原子受pumping 激發，躍遷至較低能階時所發出的光，即為我們將得到的雷射光。因此gain-medium 決定雷射光的波長。 (3)光學共振腔(optical resonant cavity)：是兩面互相平行的鏡子，一面全反射，一面半反射。作用是把光線在反射鏡間來回反射，讓增益介質方出的光不斷反射而通過增益介質放大能量，當放大到可以穿透半反射鏡時，雷射便從半反射鏡發射出去。 輸出耦合(output coupler)：此半反鏡也被稱為輸出耦合鏡（output coupler）。兩鏡面之間的距離也對輸出的雷射波長有著選擇作用，只有在兩鏡間的距離能產生共振的波長才能產生雷射。一般將GaAs 晶片由(110)面劈裂(cleaved)可形成自然反射鏡面(facet)。 雷射發光機制 發光可分成自發輻射和受激輻射。 自發輻射指的是在傳導帶的電子在激發態的時間超過生命週期時後與在價電帶的電洞輻射復合後，其所釋放出能量為光子(photo)，但這些光子間的相位皆不相同。 自發輻射的產品如發光二極體(LED) 。 受激輻射指的是在導電帶的電子在激發態的時間尚未超過生命週期，即已受到光子的引誘，而發出與入射光子同調的光子，些光子又會引起更多的電子電洞結合放出更多的頻率相同且相位一致的光子。受激輻射的產品如雷射二極體(Laser Diode, LD)。 自發輻射 受激輻射 雷射二極體之材料 直接能隙半導體 目前主要的半導體發光元件，不論是發光二極體或是雷射二極體皆屬於直接能隙(direct band gap)半導體。如GaAs及InP等化合物半導體材料。電子與電洞在這兩個允許能帶間的直接復合並放出光子，整個過程不需要改變晶格動量既可完成，發光效率高。 載子與光場侷限 目前的半導體雷射二極體操作皆是採用順向偏壓(forward biased)方式來驅動並且採用p-i-n的雙異質(DH)結構或是量子井(QW)結構。典型的應用例子為AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs。位於中間的活性層為GaAs，其能隙比兩旁還小，如此之設計可以同時增加雷射二極體的載子侷限(carrier confinement)及光的侷限(optical confinement)能力，使雷射的性能大幅提升。 雷射發光原理 雷射二極體與發光二極體均由PN半導體所構成的，注入電流後藉由電洞(帶正電荷)與電子(帶負電荷)的結合而產生光能。 圖為發光二極體 → ← 圖為雷射二極體 雷射二極體與發光二極體的不同處 因為LED為自然