国立成功大学电机工程学系微电子工程研究所博士.PDF

國 立 成 功 大 學 電機工程學系 微電子工程研究所 博士論文 以有機金屬化學氣相磊晶法在藍寶石和矽基板上成長 氮化物發光二極體元件 The Growth and Fabrication of Nitride-based Semiconductor Light Emitting Diode on Sapphire and Si substrate by MOCVD 研 究 生:許育賓 Student: Yu-Pin Hsu 指導教授:張守進 Advisor: Shoou-Jinn Chang Department of Electrical Engineering National Cheng Kung University Tainan, Taiwan, R.O.C. Dissertation for Doctor of Philosophy Dec.,2006 中華民國九十五年十二月 以有機金屬化學氣相磊晶法在藍寶石和矽基板上 成長氮化物發光二極體元件 研究生：許育賓 指導教授：張守進博士 國立成功大學微電子工程研究所 摘要 本論文探討以有機金屬化學氣相磊晶法在藍寶石和矽基板上成長氮化物，並 利用氮化物研製藍光發光二極體。關於在研製氮化物藍光發光二極體方面，我們 在藍寶石基板底部鍍上DBR和鋁金屬將背面的反射光反射回來，藉此提高其輸出 功率。另外，我們亦利用乾蝕刻方式在藍寶石基板上蝕刻出條狀的圖案，再利用 有機金屬氣相磊晶系統在已蝕刻的藍寶石基板上成長藍光發光二極體，我們亦可 增加其輸出功率。除此之外，我們亦成功成長出幾種表面粗糙的技術，包含降低 成長p-型氮化物溫度及利用矽在p-型氮化物做表面處理方式，之後再成長p-型 氮化物，達到表面粗化的目的，進而降低光被全反射的機率，最後的結果也可提 升發光功率。在最後，我們以有機金屬化學氣相磊晶法在矽基板上成功成長出發 光二極體，在緩衝層部分，我們利用 Al-pretreatment的方式在矽基板上做 wetting層，以利於後面氮化物的成長。除此之外，我們利用低溫的氮化鋁層和 圖案式的長法來減低應力的發生機率，避免裂痕的產生。因此我們利用上述幾個 方式來開發出藍光發光二極體在矽基板上。 i The Growth and Fabrication of Nitride-based Semiconductor Light Emitting Diode on Sapphire and Si substrate by MOCVD Yu-Pin Hsu*, Shoou-Jinn Chang** Department of Electrical Engineering National Cheng Kung University Tainan, Taiwan, R.O.C. Dissertation for Doctor of Philosophy, Dec. 2006 Abstract In this dis